| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-24页 |
| ·前言 | 第7页 |
| ·纳米材料和半导体纳米材料简介 | 第7-13页 |
| ·纳米材料概述 | 第7-10页 |
| ·半导体纳米材料概述 | 第10-11页 |
| ·宽禁带半导体纳米材料的研究现状 | 第11-13页 |
| ·纳米Ga_2O_3概述 | 第13-18页 |
| ·Ga_2O_3的结构性质 | 第13-14页 |
| ·Ga_2O_3光学性质及应用 | 第14-15页 |
| ·Ga_2O_3的电学性质及应用 | 第15页 |
| ·Ga_2O_3的气敏性质及应用 | 第15页 |
| ·Ga_2O_3制备方法 | 第15-18页 |
| ·Ga_2O_3纳米材料合成研究中存在的问题 | 第18页 |
| ·溶剂热法概述 | 第18-19页 |
| ·溶剂热法原理 | 第18页 |
| ·溶剂热法特点 | 第18-19页 |
| ·溶剂热法的研究进展 | 第19页 |
| ·光催化技术概述 | 第19-22页 |
| ·光催化剂的基本原理 | 第20-21页 |
| ·光催化剂的分类 | 第21页 |
| ·Ga_2O_3光催化剂的应用 | 第21-22页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第22-24页 |
| 第2章 实验材料与研究方法 | 第24-31页 |
| ·实验试剂与仪器 | 第24-25页 |
| ·实验试剂 | 第24页 |
| ·实验仪器 | 第24-25页 |
| ·Ga(NO_3)_3水溶液的配制 | 第25页 |
| ·材料表征方法 | 第25-27页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第25-26页 |
| ·扫描电镜(SEM)测试 | 第26页 |
| ·紫外-可见漫反射光谱(DRS) | 第26页 |
| ·荧光光谱(PL spectroscopy) | 第26-27页 |
| ·紫外-可见吸收光谱(UV-Vis) | 第27页 |
| ·光催化性能评价 | 第27-31页 |
| ·罗丹明B光催化实验 | 第27-29页 |
| ·苯酚光催化实验 | 第29-31页 |
| 第3章 棒状Ga_2O_3纳米晶溶剂热合成及性能研究 | 第31-47页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·Ga_2O_3纳米晶的合成及表征 | 第31-42页 |
| ·合成方法 | 第31-32页 |
| ·pH值对产物结构及形貌的影响 | 第32-34页 |
| ·反应温度对产物结构及形貌的影响 | 第34-36页 |
| ·反应时间对产物结构及形貌的影响 | 第36-38页 |
| ·焙烧对产物的影响 | 第38-40页 |
| ·棒状β-Ga_2O_3的光学特性 | 第40-42页 |
| ·光催化性能研究 | 第42-45页 |
| ·反应温度及pH值对产物光催化性能的影响 | 第42-43页 |
| ·反应时间对产物光催化性能的影响 | 第43-44页 |
| ·催化剂活性对比 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 花状Ga_2O_3纳米晶溶剂热合成及性能研究 | 第47-66页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·Ga_2O_3纳米晶的合成及表征 | 第47-61页 |
| ·合成方法 | 第47-48页 |
| ·EDA比例对产物结构及形貌的影响 | 第48-51页 |
| ·反应温度对产物结构及形貌的影响 | 第51-53页 |
| ·反应时间对产物结构及形貌的影响 | 第53-57页 |
| ·焙烧对产物的影响 | 第57-59页 |
| ·花状β-Ga_2O_3的光学特性 | 第59-61页 |
| ·光催化性能研究 | 第61-64页 |
| ·反应温度及EDA比例对产物光催化性能的影响 | 第61-62页 |
| ·反应时间对产物光催化性能的影响 | 第62-63页 |
| ·催化剂活性对比 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |