| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| ·金刚石的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·金刚石的性质 | 第11-14页 |
| ·CVD 金刚石的主要制备方法 | 第14-16页 |
| ·金刚石场效应管研究 | 第16-22页 |
| ·论文的选题及主要研究内容 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-27页 |
| 第二章 实验设备与表征技术 | 第27-36页 |
| ·微波等离子体 CVD（MPCVD）设备 | 第27-30页 |
| ·射频溅射设备 | 第30-32页 |
| ·样品表征技术及设备 | 第32-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第三章 CVD 金刚石单晶生长研究 | 第36-53页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·生长 CVD 金刚石单晶实验条件 | 第36-37页 |
| ·H_2/CH_4/N_2/CO_2气氛生长 CVD 金刚石单晶 | 第37-40页 |
| ·H_2/CH_4/N_2O 气氛生长 CVD 金刚石单晶 | 第40-44页 |
| ·CH_4流量变化对 CVD 金刚石单晶生长的影响 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 第四章 Ta_2O_5栅极及相关金刚石晶体管的制备与研究 | 第53-82页 |
| ·引言 | 第53-56页 |
| ·Ta_2O_5薄膜在 Si 衬底上的沉积及性质 | 第56-63页 |
| ·Ta_2O_5薄膜的生长 | 第56-58页 |
| ·Ta_2O_5薄膜的退火处理及表征 | 第58-61页 |
| ·Si 上生长 Ta_2O_5薄膜的电学特性测试 | 第61-63页 |
| ·Ta_2O_5薄膜金刚石上的沉积及性质 | 第63-72页 |
| ·Ta_2O_5薄膜在金刚石上的沉积及表征 | 第63-66页 |
| ·Ta_2O_5/金刚石结构的性质测试 | 第66-72页 |
| ·Ta_2O_5栅极金刚石晶体管的制作及性质 | 第72-78页 |
| ·金刚石晶体管制备方案 | 第73-76页 |
| ·晶体管性能测试 | 第76-78页 |
| ·小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第五章 HfO_2在金刚石上的沉积与性质研究 | 第82-87页 |
| ·HfO_2在 Si 上的沉积与电学性质 | 第82-84页 |
| ·HfO_2在金刚石上的沉积与电学性质 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86页 |
| 参考文献 | 第86-87页 |
| 第六章 结论与展望 | 第87-90页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第90-92页 |
| 作者简历 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
