| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-38页 |
| ·半导体纳米材料概述 | 第13-16页 |
| ·纳米材料 | 第13-14页 |
| ·半导体纳米材料 | 第14-16页 |
| ·TiO_2纳米材料概述 | 第16-18页 |
| ·二氧化钛简介 | 第16-18页 |
| ·TiO_2纳米管阵列材料 | 第18页 |
| ·TiO_2纳米管阵列的应用 | 第18-23页 |
| ·国内外研究现状及前景 | 第23-36页 |
| ·TiO_2纳米管阵列制备方法概述 | 第23-25页 |
| ·阳极氧化法制备 TiO_2纳米管阵列 | 第25-31页 |
| ·TiO_2纳米管阵列的掺杂改性 | 第31-36页 |
| ·本课题研究内容及意义 | 第36-38页 |
| ·研究内容 | 第36页 |
| ·研究意义 | 第36-38页 |
| 第二章 实验材料和方法 | 第38-42页 |
| ·实验材料和仪器设备 | 第38-39页 |
| ·实验反应溶液配制及原料预处理 | 第39-40页 |
| ·实验材料和仪器设备 | 第40页 |
| ·实验原料 | 第40页 |
| ·实验设备 | 第40页 |
| ·实验反应溶液配制及原料预处理 | 第40-41页 |
| ·实验溶液配制流程 | 第40-41页 |
| ·钛片预处理 | 第41页 |
| ·样品性能测试和表征手段 | 第41-42页 |
| 第三章 TiO_2纳米管阵列制备 | 第42-54页 |
| ·阳极氧化法制备 TiO_2纳米管阵列 | 第42-43页 |
| ·不同电解液浓度 TiO_2纳米管阵列制备 | 第42-43页 |
| ·不同电压条件 TiO_2纳米管阵列制备 | 第43页 |
| ·电解液浓度对纳米管形貌的影响 | 第43-48页 |
| ·实验结果 | 第44-46页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第46-48页 |
| ·电压条件对 TiO_2纳米管形貌影响 | 第48-52页 |
| ·实验结果 | 第48-50页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第50-52页 |
| ·实验误差分析 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第四章 N 掺杂 TiO_2纳米管阵列 | 第54-63页 |
| ·N 掺杂 TiO_2纳米管阵列的制备 | 第54-55页 |
| ·表征与分析 | 第55-59页 |
| ·N 掺杂对 TiO_2纳米管阵列表面形貌影响 | 第55页 |
| ·N 掺杂对纳米管物相影响 | 第55-57页 |
| ·N 掺杂样品的 XPS 表征和分析 | 第57-59页 |
| ·N 掺杂 TiO_2纳米管阵列的光催化性能研究 | 第59-61页 |
| ·TiO_2的光催化机理 | 第59页 |
| ·N 掺杂 TiO_2纳米管阵列薄膜的光催化性能测试 | 第59-61页 |
| ·小结 | 第61-63页 |
| 第五章 S/N 共掺杂 TiO_2纳米管 | 第63-69页 |
| ·S/N 共掺杂 TiO_2纳米管阵列制备 | 第63页 |
| ·表征与分析 | 第63-67页 |
| ·S/N 共掺杂对 TiO_2 纳米管阵列表面形貌影响 | 第63-64页 |
| ·S/N 共掺杂对 TiO_2纳米管阵列物相影响 | 第64-65页 |
| ·S/N 共掺杂样品的 XPS 表征和分析 | 第65-67页 |
| ·S/N 共掺杂 TiO_2纳米管的光催化性能研究 | 第67-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 第六章 TiO_2纳米管阵列薄膜的气敏性能研究 | 第69-74页 |
| ·TiO_2的气敏传感机理 | 第69页 |
| ·掺杂处理对 TiO_2纳米管阵列薄膜的气敏性影响研究 | 第69-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 第七章 结论与展望 | 第74-76页 |
| ·结论 | 第74页 |
| ·展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第82-83页 |
