| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-14页 |
| 主要符号表 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-37页 |
| ·概述 | 第15-17页 |
| ·ReRAM的器件结构与制备 | 第17-26页 |
| ·ReRAM的器件结构 | 第17-19页 |
| ·ReRAM单元的制备 | 第19-21页 |
| ·ReRAM的阻变类型与性能要求 | 第21-24页 |
| ·ReRAM的阻变机理 | 第24-26页 |
| ·氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO) | 第26页 |
| ·GO ReRAM的研究现状及进展 | 第26-28页 |
| ·课题的选取 | 第28-29页 |
| 本章参考文献 | 第29-37页 |
| 第二章 实验设备和测试分析方法 | 第37-47页 |
| ·实验设备 | 第37-39页 |
| ·旋涂仪(Spin-coating) | 第37-38页 |
| ·电子束蒸发设备(E-Beam Evaporation) | 第38-39页 |
| ·测试分析方法 | 第39-46页 |
| ·原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM) | 第39-41页 |
| ·拉曼光谱(Raman Spectra) | 第41-42页 |
| ·X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD) | 第42-43页 |
| ·X射线光电子能谱(X-Ray Photoelectron Spectroscopy,XPS) | 第43-44页 |
| ·热失重分析(Thermo Gravimetric Analysis,TGA) | 第44-45页 |
| ·电流与电压关系测试(I-V Measurements) | 第45-46页 |
| 本章参考文献 | 第46-47页 |
| 第三章 氧化石墨烯的制备及表征分析 | 第47-57页 |
| ·实验流程 | 第47-48页 |
| ·Modified Hummers’Method制备GO | 第47-48页 |
| ·GO水溶液的制备 | 第48页 |
| ·GO的表征分析 | 第48-55页 |
| ·AFM | 第48-49页 |
| ·Raman光谱 | 第49-50页 |
| ·X射线衍射 | 第50-51页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第51-53页 |
| ·TGA测试 | 第53-55页 |
| 本章参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 GO ReRAM的制备、表征及机理分析 | 第57-81页 |
| ·GO ReRAM的制备 | 第57-59页 |
| ·ITO衬底的清洗 | 第57-58页 |
| ·GO阻变层的制备 | 第58页 |
| ·A1电极的蒸镀 | 第58-59页 |
| ·GO ReRAM的性能测试 | 第59-64页 |
| ·膜厚及粗糙度测试 | 第59页 |
| ·I-V测试 | 第59-64页 |
| ·GO ReRAM的机理分析 | 第64-69页 |
| ·电形成循环及其方向的机理分析 | 第64-67页 |
| ·J-V特性的机理分析 | 第67-68页 |
| ·电极单元尺寸依赖的机理分析 | 第68-69页 |
| ·GO ReRAM与退火温度的关系 | 第69-79页 |
| ·GO阻变层与退火温度的关系 | 第70-77页 |
| ·GO ReRAM的性能与退火温度的关系 | 第77-79页 |
| 本章参考文献 | 第79-81页 |
| 第五章 结论 | 第81-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第85页 |
