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二维硅光子晶体制备及带隙研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-6页
目录第6-7页
第一章 绪论第7-19页
   ·光子晶体简介第7-9页
   ·光子晶体性质及应用第9-13页
   ·光子晶体的制备方法第13-18页
   ·本论文的主要研究内容第18-19页
第二章 光子晶体的理论分析方法第19-32页
   ·电磁波在光子晶体传播的主方程第19-21页
   ·平面波展开法第21-22页
   ·时域有限差分法第22-32页
第三章 硅基二维光子晶体光电化学腐蚀工艺优化第32-46页
   ·诱导坑制备工艺第32-34页
   ·二维空气柱光子晶体的光电化学腐蚀第34-37页
   ·诱导坑对二维光子晶体形貌的影响第37-39页
   ·工作电压对二维通道结构生长的影响第39-41页
   ·腐蚀溶液配比对二维通道结构生长的影响第41-46页
第四章 二维空气柱光子晶体带隙时域仿真第46-56页
   ·二维光子晶体带隙时域仿真过程第46-49页
   ·晶格周期对二维光子晶体带隙的影响第49-53页
   ·晶格类型对二维光子晶体带隙的影响第53-54页
   ·空气圆柱半径对光子晶体带隙的影响第54-56页
结论第56-57页
致谢第57-58页
参考文献第58-59页

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