射频容性耦合等离子体的两维隐格式PIC/MC模拟
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 引言 | 第11-31页 |
| ·低温等离子体与微电子工业 | 第11-15页 |
| ·微电子工业及其制造工艺流程 | 第11-13页 |
| ·等离子体刻蚀与沉积 | 第13-15页 |
| ·低温等离子体源简述 | 第15-22页 |
| ·低温等离子体源的基本结构 | 第15-19页 |
| ·冷等离子体的电子加热机制与模式转换 | 第19-22页 |
| ·CCP的研究内容与方法 | 第22-26页 |
| ·CCP的研究内容 | 第22-23页 |
| ·CCP的研究方法 | 第23-26页 |
| ·CCP的研究现状与发展方向 | 第26-30页 |
| ·CCP的国内外研究现状 | 第26-30页 |
| ·CCP研究的发展方向 | 第30页 |
| ·本文研究内容与安排 | 第30-31页 |
| 2 PIC/MC模拟的一般方法 | 第31-48页 |
| ·概述 | 第31-33页 |
| ·PIC方法 | 第33-40页 |
| ·电荷累积 | 第33-35页 |
| ·泊松方程 | 第35-36页 |
| ·外电路模型 | 第36-38页 |
| ·粒子推进 | 第38-39页 |
| ·PIC模型的稳定性条件 | 第39-40页 |
| ·MC模型 | 第40-47页 |
| ·粒子抽样与碰撞后速度的确定 | 第41-44页 |
| ·电子-分子碰撞 | 第44-46页 |
| ·离子-分子碰撞 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 3 直接隐式PIC/MC模型 | 第48-65页 |
| ·多尺度模拟 | 第48-49页 |
| ·隐格式PIC算法 | 第49-52页 |
| ·两维柱坐标下的直接隐式PIC/MC | 第52-59页 |
| ·不等权重粒子的引入 | 第52-54页 |
| ·粒子权重的重整 | 第54-55页 |
| ·粒子推动 | 第55-57页 |
| ·柱坐标系下带权重粒子的电荷累积 | 第57-59页 |
| ·带权重的MC方法 | 第59-61页 |
| ·粒子抽样 | 第59-60页 |
| ·隐格式中的粒子碰撞后的加速度的确定 | 第60-61页 |
| ·定标与数值方法的选择 | 第61-64页 |
| ·一维结果 | 第61-63页 |
| ·二维结果 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 4 CCP中的电极间距效应 | 第65-73页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·整体的等离子体性质 | 第66-68页 |
| ·粒子和能量平衡 | 第68-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 5 两维同轴结构CCP的几何效应 | 第73-86页 |
| ·引言 | 第73-74页 |
| ·几何位形及模拟参数 | 第74-75页 |
| ·计算结果与讨论 | 第75-85页 |
| ·自偏压效应 | 第75-76页 |
| ·电势与电场 | 第76-78页 |
| ·等离子体密度 | 第78-80页 |
| ·电子的动力学性质 | 第80-84页 |
| ·离子通量与能量分布函数 | 第84-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 6 垂直驱动的双频CCP模拟 | 第86-92页 |
| ·引言 | 第86页 |
| ·模拟参数 | 第86-87页 |
| ·计算结果与讨论 | 第87-91页 |
| ·等离子体密度与电势分布 | 第87-88页 |
| ·离子通量、能量与角度分布 | 第88-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 结论 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-103页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第103-105页 |
| 创新点摘要 | 第105-106页 |
| 致谢 | 第106-108页 |
