硅基大倍数红外光敏三极管的研制
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-22页 |
| ·本文研究的现实意义 | 第13-14页 |
| ·硅基光敏三极管国内外的发展现状 | 第14-20页 |
| ·光敏三极管的基本结构和研究进展 | 第14-18页 |
| ·光敏三极管等效电路图 | 第18-20页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第20-22页 |
| 第2章 半导体器件基本理论 | 第22-32页 |
| ·载流子浓度与费米能级 | 第22-23页 |
| ·载流子运动 | 第23-24页 |
| ·掺杂不均匀产生的内建电场 | 第24-25页 |
| ·泊松方程 | 第25页 |
| ·大电流下的载流子输运 | 第25-27页 |
| ·迁移率 | 第25-26页 |
| ·载流子一载流子散射 | 第26-27页 |
| ·PN 结理论 | 第27-31页 |
| ·PN 结势垒 | 第27-29页 |
| ·伏安特性 | 第29-30页 |
| ·PN 结电容 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 光敏三极管的工作机理 | 第32-47页 |
| ·半导体材料的光吸收 | 第32页 |
| ·光敏二极管特性 | 第32-36页 |
| ·光敏二极管光生伏特效应 | 第32-35页 |
| ·主要参数 | 第35-36页 |
| ·光敏三极管的工作方式 | 第36-43页 |
| ·共射级晶体管模型 | 第36-39页 |
| ·共射级晶体管增益电流和击穿电压 | 第39-43页 |
| ·工作方式和主要参数 | 第43页 |
| ·特征波长和增透膜 | 第43-45页 |
| ·特征波长的选择 | 第43-44页 |
| ·增透膜的确立 | 第44-45页 |
| ·光敏三极管响应速度 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 衬底材料选择和版图设计 | 第47-60页 |
| ·光敏三极管设计的总体方向和目标 | 第47-48页 |
| ·器件外延片的选择问题 | 第48-51页 |
| ·衬底的选择 | 第48-49页 |
| ·外延层的确定 | 第49-51页 |
| ·器件光开通现象的控制 | 第51-52页 |
| ·光敏器件结构参数设计 | 第52-55页 |
| ·浓硼、淡硼基区及发射区的选择 | 第52-54页 |
| ·响应度的提高 | 第54-55页 |
| ·整体版图的输出 | 第55-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 工艺流程以及工艺难点 | 第60-78页 |
| ·器件的工艺流程 | 第60-68页 |
| ·工艺流程框架图 | 第60页 |
| ·分步工艺流程分析 | 第60-68页 |
| ·关键工艺问题分析及解决方法 | 第68-77页 |
| ·氧化扩散过程中温度，气流量，通源时间控制 | 第68-70页 |
| ·浓硼光敏区、淡硼基区，发射区掺杂问题的解决 | 第70-73页 |
| ·二次氧化和三次氧化方块电阻的控制 | 第73-76页 |
| ·慢退火来提高发射区少子寿命 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第6章 封装测试和总结 | 第78-82页 |
| ·光敏器件的几种封装 | 第78页 |
| ·测试和数据分析 | 第78-80页 |
| ·总结 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及参加科研情况 | 第86-87页 |
