| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·CdSe半导体纳米晶体 | 第7-8页 |
| ·石墨烯的制备方法 | 第8-11页 |
| ·光伏器件的基本原理 | 第11-14页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 石墨烯薄膜制备及迁移 | 第15-21页 |
| ·实验准备 | 第15页 |
| ·生长石墨烯 | 第15-18页 |
| ·石墨烯的迁移 | 第18-21页 |
| 第三章 石墨烯薄膜的表征 | 第21-29页 |
| ·光学显微镜 | 第21页 |
| ·扫描电镜 | 第21-22页 |
| ·拉曼光谱表征 | 第22-24页 |
| ·原子力显微镜表征 | 第24-27页 |
| ·可见光透过率 | 第27页 |
| ·四探针法测量薄膜电阻 | 第27-29页 |
| 第四章 CCG与CdSe量子点复合体系及器件的光电信号测试 | 第29-39页 |
| ·合成氧化石墨 | 第29页 |
| ·合成化学转换石墨烯 | 第29-30页 |
| ·合成CdSe量子点 | 第30-31页 |
| ·CCG/CdSe量子点的复合体系 | 第31-32页 |
| ·光电器件测试系统 | 第32-35页 |
| ·复合体系器件的光电信号测试 | 第35-39页 |
| 总结与展望 | 第39-40页 |
| 致谢 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |