| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第1章 导论 | 第11-15页 |
| 第2章 拓扑绝缘体的基本理论 | 第15-41页 |
| ·整数霍尔效应 | 第15-22页 |
| ·Laughlin的规范论述 | 第16-18页 |
| ·TKNN不变量；陈数 | 第18-20页 |
| ·拓扑荷 | 第20-21页 |
| ·体-边缘对应；Atiyah-Singer指标定理 | 第21-22页 |
| ·量子反常霍尔效应 | 第22-24页 |
| ·二维时间反演不变的拓扑绝缘体 | 第24-32页 |
| ·时间反演算符；Kramers简并 | 第25-26页 |
| ·Kane-Mele模型；量子自旋霍尔效应 | 第26-29页 |
| ·Z_2拓扑不变量 | 第29-31页 |
| ·HgTe/CdTe量子阱：第一个实验上实现的量子自旋霍尔效应 | 第31-32页 |
| ·三维时间反演不变的拓扑绝缘体 | 第32-41页 |
| ·拓扑能带理论 | 第32-33页 |
| ·实验上发现的三维拓扑绝缘体 | 第33-34页 |
| ·拓扑场论描述 | 第34-41页 |
| 第3章 拓扑绝缘体中的量子化条件 | 第41-59页 |
| ·拓扑磁电效应 | 第41-44页 |
| ·拓扑法拉第/克尔旋光 | 第44-45页 |
| ·拓扑绝缘体中的拓扑量子化条件 | 第45-59页 |
| ·线偏振光斜入射到半无限大拓扑绝缘体时的法拉第/克尔旋转 | 第47-52页 |
| ·线偏振光斜入射到拓扑绝缘体厚膜时的克尔角与法拉第角 | 第52-55页 |
| ·拓扑绝缘体中推广的量子化条件 | 第55-59页 |
| 第4章 分数量子自旋霍尔效应中的分数电荷与分数统计 | 第59-77页 |
| ·分数统计 | 第59-64页 |
| ·分数统计的数学根源；辫子群 | 第59-60页 |
| ·分数统计的物理描述；Hopf不变量 | 第60-64页 |
| ·分数量子自旋霍尔态的波函数 | 第64-67页 |
| ·分数量子霍尔效应中的分数电荷和任意子统计 | 第67-77页 |
| ·Chern-Simons场论方法 | 第67-71页 |
| ·Berry相位技术 | 第71-77页 |
| 第5章 总结与展望 | 第77-79页 |
| ·总结 | 第77页 |
| ·展望 | 第77-78页 |
| ·结束语 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第86页 |
