摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
第一章 半导体荧光纳米晶的研究进展 | 第9-29页 |
·半导体量子点 | 第9-17页 |
·半导体量子点概述 | 第9-10页 |
·半导体量子点的发光原理和发光特性 | 第10-11页 |
·相转移法制备水溶性量子点 | 第11页 |
·核壳结构量子点 | 第11-17页 |
·CdSe量子点 | 第17-19页 |
·CdSe量子点概述 | 第17-18页 |
·CdSe纳米晶的制备进展 | 第18-19页 |
·掺杂量子点 | 第19-29页 |
·掺杂量子点概述 | 第19页 |
·掺杂量子点的制备与表征 | 第19-20页 |
·掺杂量子点的理论模型 | 第20-22页 |
·锰掺杂量子点的分类 | 第22-29页 |
第二章 CdSe/CdS/ZnS核/壳纳米晶 | 第29-41页 |
·实验目的与合成思路 | 第29页 |
·实验部分 | 第29-32页 |
·药品 | 第29-30页 |
·实验表征 | 第30页 |
·合成路线(示意图)和方法 | 第30-32页 |
·结果与讨论 | 第32-40页 |
·壳层前驱物CDC和ZDC | 第32-33页 |
·CdSe/CdS和CdSe/CdS/ZnS核壳结构的外延性生长 | 第33-34页 |
·CdSe/CdS/ZnS QDs核壳结构的表征 | 第34-36页 |
·CdSe/CdS和CdSe/CdS/ZnS核/壳量子点的光学性质 | 第36-39页 |
·壳层前驱物的选择 | 第39-40页 |
·结论 | 第40-41页 |
第三章 Mn掺杂ZnS纳米晶 | 第41-53页 |
·实验目的与合成思路 | 第41-42页 |
·实验部分 | 第42-43页 |
·药品 | 第42页 |
·实验表征 | 第42页 |
·合成路线(示意图)和方法 | 第42-43页 |
·结果与讨论 | 第43-52页 |
·Mn:ZnS QDs的生长掺杂与成核掺杂 | 第43-47页 |
·Mn:ZnS QDs的光学性能 | 第47-48页 |
·Mn:ZnS QDs核壳结构的表征 | 第48-50页 |
·MnS核尺寸的控制 | 第50页 |
·Mn:ZnS QDs荧光性能与壳层厚度的关系 | 第50-52页 |
·总结 | 第52-53页 |
第四章 结论 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-63页 |
致谢 | 第63-64页 |
附录 | 第64页 |