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铜铟硒薄膜太阳能电池材料的制备与若干理论计算研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第1章 绪论第10-27页
   ·太阳能电池第10-16页
     ·太阳能电池的工作原理第11-13页
     ·硅基太阳能电池第13-14页
     ·薄膜太阳能电池第14-16页
   ·CIS 薄膜太阳能电池第16-24页
     ·CIS 介绍第16-18页
     ·CIS 薄膜太阳能电池介绍第18-19页
     ·研究进展及现状第19-21页
     ·CIS 薄膜太阳能电池的研究热点第21-24页
   ·论文的研究目的与研究计划第24-27页
第2章 实验方法与理论计算第27-43页
   ·引言第27页
   ·CIS 薄膜制备方法第27-32页
     ·一步电沉积法第27-29页
     ·真空退火第29页
     ·磁控溅射第29-31页
     ·硒化退火第31-32页
   ·CIS 薄膜性能表征第32-33页
     ·X 射线衍射分析(XRD)第32页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第32页
     ·X 射线光电子能谱(XPS)第32-33页
     ·X 射线荧光光谱分析(XRF)第33页
     ·霍尔效应(HE)测试第33页
   ·第一性原理计算方法第33-43页
     ·DFT 理论第33-35页
     ·系统总能量计算第35-37页
     ·能带计算第37-38页
     ·缺陷形成能第38-40页
     ·异质结能带偏差的计算第40-43页
第3章 一步电沉积法制备CIS 薄膜研究第43-56页
   ·引言第43-45页
   ·一步电沉积法制备CIS 薄膜第45-50页
     ·循环伏安曲线第46-48页
     ·溶液浓度和沉积电位对沉积CIS 薄膜的影响第48-50页
   ·真空退火第50-55页
     ·真空退火对成分的影响第50-51页
     ·真空退火对物相的影响第51-54页
     ·真空退火对表面形貌的影响第54-55页
     ·导电类型测量第55页
   ·小结第55-56页
第4章 溅射Cu-In 合金层硒化法制备CIS 薄膜第56-72页
   ·引言第56-57页
   ·温度对CIS 薄膜硒化工艺的影响第57-65页
     ·硒化过程中物相的变化第58-62页
     ·硒化过程中CIS 薄膜表面形貌的变化第62-64页
     ·硒化过程中CIS 薄膜生长的三个阶段第64-65页
   ·强择优取向CIS 薄膜的制备研究第65-70页
     ·MoNx 基底材料的制备第66-67页
     ·强择优取向CIS 薄膜的制备第67-70页
   ·小结第70-72页
第5章 结构参数和同族元素取代对电子结构的影响第72-87页
   ·引言第72-73页
   ·Cu 基I-III-VI 族化合物的典型电子结构第73-75页
   ·结构参数的变化对电子结构的影响第75-80页
     ·研究方法第76页
     ·计算结果第76-80页
   ·同族元素取代对电子结构的影响第80-85页
     ·研究方法第81-82页
     ·计算结果第82-85页
   ·小结第85-87页
第6章 CIS 中的本征及非本征缺陷过程第87-111页
   ·引言第87-88页
   ·CIS 中的本征缺陷第88-103页
     ·计算方法第89-91页
     ·本征缺陷作用第91-96页
     ·缺陷化合物的形成及结构第96-103页
   ·CIS 中的非本征缺陷第103-110页
     ·计算方法第103-104页
     ·Na+掺杂的影响及机制研究第104-110页
   ·小结第110-111页
第7章 CIS 与II-VI 族缓冲层异质结的比较研究第111-124页
   ·引言第111-112页
   ·计算方法第112-114页
   ·CIS 与II-VI 族缓冲层异质结的能带排列第114-122页
   ·小结第122-124页
第8章 结论第124-127页
参考文献第127-140页
致谢第140-141页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第141-142页

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