摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第1章 绪论 | 第10-27页 |
·太阳能电池 | 第10-16页 |
·太阳能电池的工作原理 | 第11-13页 |
·硅基太阳能电池 | 第13-14页 |
·薄膜太阳能电池 | 第14-16页 |
·CIS 薄膜太阳能电池 | 第16-24页 |
·CIS 介绍 | 第16-18页 |
·CIS 薄膜太阳能电池介绍 | 第18-19页 |
·研究进展及现状 | 第19-21页 |
·CIS 薄膜太阳能电池的研究热点 | 第21-24页 |
·论文的研究目的与研究计划 | 第24-27页 |
第2章 实验方法与理论计算 | 第27-43页 |
·引言 | 第27页 |
·CIS 薄膜制备方法 | 第27-32页 |
·一步电沉积法 | 第27-29页 |
·真空退火 | 第29页 |
·磁控溅射 | 第29-31页 |
·硒化退火 | 第31-32页 |
·CIS 薄膜性能表征 | 第32-33页 |
·X 射线衍射分析(XRD) | 第32页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第32页 |
·X 射线光电子能谱(XPS) | 第32-33页 |
·X 射线荧光光谱分析(XRF) | 第33页 |
·霍尔效应(HE)测试 | 第33页 |
·第一性原理计算方法 | 第33-43页 |
·DFT 理论 | 第33-35页 |
·系统总能量计算 | 第35-37页 |
·能带计算 | 第37-38页 |
·缺陷形成能 | 第38-40页 |
·异质结能带偏差的计算 | 第40-43页 |
第3章 一步电沉积法制备CIS 薄膜研究 | 第43-56页 |
·引言 | 第43-45页 |
·一步电沉积法制备CIS 薄膜 | 第45-50页 |
·循环伏安曲线 | 第46-48页 |
·溶液浓度和沉积电位对沉积CIS 薄膜的影响 | 第48-50页 |
·真空退火 | 第50-55页 |
·真空退火对成分的影响 | 第50-51页 |
·真空退火对物相的影响 | 第51-54页 |
·真空退火对表面形貌的影响 | 第54-55页 |
·导电类型测量 | 第55页 |
·小结 | 第55-56页 |
第4章 溅射Cu-In 合金层硒化法制备CIS 薄膜 | 第56-72页 |
·引言 | 第56-57页 |
·温度对CIS 薄膜硒化工艺的影响 | 第57-65页 |
·硒化过程中物相的变化 | 第58-62页 |
·硒化过程中CIS 薄膜表面形貌的变化 | 第62-64页 |
·硒化过程中CIS 薄膜生长的三个阶段 | 第64-65页 |
·强择优取向CIS 薄膜的制备研究 | 第65-70页 |
·MoNx 基底材料的制备 | 第66-67页 |
·强择优取向CIS 薄膜的制备 | 第67-70页 |
·小结 | 第70-72页 |
第5章 结构参数和同族元素取代对电子结构的影响 | 第72-87页 |
·引言 | 第72-73页 |
·Cu 基I-III-VI 族化合物的典型电子结构 | 第73-75页 |
·结构参数的变化对电子结构的影响 | 第75-80页 |
·研究方法 | 第76页 |
·计算结果 | 第76-80页 |
·同族元素取代对电子结构的影响 | 第80-85页 |
·研究方法 | 第81-82页 |
·计算结果 | 第82-85页 |
·小结 | 第85-87页 |
第6章 CIS 中的本征及非本征缺陷过程 | 第87-111页 |
·引言 | 第87-88页 |
·CIS 中的本征缺陷 | 第88-103页 |
·计算方法 | 第89-91页 |
·本征缺陷作用 | 第91-96页 |
·缺陷化合物的形成及结构 | 第96-103页 |
·CIS 中的非本征缺陷 | 第103-110页 |
·计算方法 | 第103-104页 |
·Na+掺杂的影响及机制研究 | 第104-110页 |
·小结 | 第110-111页 |
第7章 CIS 与II-VI 族缓冲层异质结的比较研究 | 第111-124页 |
·引言 | 第111-112页 |
·计算方法 | 第112-114页 |
·CIS 与II-VI 族缓冲层异质结的能带排列 | 第114-122页 |
·小结 | 第122-124页 |
第8章 结论 | 第124-127页 |
参考文献 | 第127-140页 |
致谢 | 第140-141页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第141-142页 |