| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪言 | 第8-10页 |
| 第二章 半导体光电探测器概述 | 第10-21页 |
| ·常用的半导体光电探测器材料 | 第10页 |
| ·半导体光电探测器的主要性能参数 | 第10-13页 |
| ·量子效率和响应度 | 第10-11页 |
| ·暗电流和噪声 | 第11-12页 |
| ·响应速度 | 第12页 |
| ·探测器的灵敏度 | 第12-13页 |
| ·频率响应 | 第13页 |
| ·光电流I_L | 第13页 |
| ·电容Cj | 第13页 |
| ·半导体探测器的种类 | 第13-16页 |
| ·光电二极管 | 第14页 |
| ·PIN光探测器 | 第14-15页 |
| ·雪崩光电二极管 | 第15-16页 |
| ·硅基红外光电探测器的研究进展 | 第16-20页 |
| ·非本征硅红外探测器 | 第17页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x/Si红外探测器 | 第17-18页 |
| ·PtSi红外探测器 | 第18-19页 |
| ·硅基HgCdTe红外探测器 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 PTCDA/P-SI光电探测器原理 | 第21-30页 |
| ·PTCDA的基本性质 | 第21-23页 |
| ·PTCDA/P-SI衬底形成异质结的基本性质 | 第23-28页 |
| ·PTCDA/P-Si异质结势垒的形成 | 第23-24页 |
| ·PTCDA/p-Si异质结在非平衡状态的能带结构 | 第24-26页 |
| ·PTCDA/p-Si势垒的电流-电压特性 | 第26-27页 |
| ·PTCDA/p-Si势垒的C-V特性 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第四章:ITO/PTCDA/P-SI/AL光电探测器的制备和优化 | 第30-57页 |
| ·ITO/PTCDA/P-SI/AL光电探测器的制备 | 第30-31页 |
| ·ITO/PTCDA/P-SI/AL光电探测器的优化 | 第31-54页 |
| ·PTCDA/P-Si表面随温度变化的AFM研究 | 第31-38页 |
| ·衬底温度对PTCDA分子结构影响的Raman分析 | 第38-44页 |
| ·PTCDA表面射频磁控溅射ITO薄膜的特性研究 | 第44-52页 |
| ·接触电极的优化 | 第52-54页 |
| ·本章小节 | 第54-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| 参与发表文章 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
