非晶SiO_x纳米线的制备、修饰和加工
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| ·SiO_x纳米线的研究现状 | 第14-16页 |
| ·SiO_x纳米线的制备 | 第14-16页 |
| ·SiO_x纳米线的修饰和加工 | 第16页 |
| ·本论文的主要内容和基本框架 | 第16-17页 |
| ·本论文的主要内容 | 第16-17页 |
| ·本论文的基本框架 | 第17页 |
| 参考文献 | 第17-21页 |
| 第二章 仪器设备和实验方法 | 第21-33页 |
| ·CS-25 激光诱导高温化学气相沉积装置 | 第21-24页 |
| ·设计原理 | 第21-22页 |
| ·仪器结构 | 第22-24页 |
| ·仪器在本论文中的应用 | 第24页 |
| ·磁控溅射装置 | 第24-26页 |
| ·仪器的原理 | 第24-25页 |
| ·仪器在本论文中的应用 | 第25-26页 |
| ·溅射镀膜装置 | 第26-27页 |
| ·仪器的原理 | 第26页 |
| ·仪器在本论文中的应用 | 第26-27页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第27-29页 |
| ·仪器的原理 | 第27-29页 |
| ·仪器在本论本中的应用 | 第29页 |
| ·透射电子显微镜 | 第29-31页 |
| ·工作原理 | 第29-31页 |
| ·仪器在本论文中的应用 | 第31页 |
| 参考文献 | 第31-33页 |
| 第三章 SiO_x 纳米线的制备与分析 | 第33-48页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·实验装置与实验方法 | 第33-35页 |
| ·实验装置 | 第33-34页 |
| ·实验方法 | 第34-35页 |
| ·实验结果 | 第35-38页 |
| ·形貌观测 | 第35页 |
| ·成分分析 | 第35-37页 |
| ·结构观测 | 第37-38页 |
| ·结果分析与讨论 | 第38-45页 |
| ·生长过程分析 | 第38-41页 |
| ·生长机制分析 | 第41-44页 |
| ·气态Si原子的来源 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 第四章 SiO_x 纳米线的修饰与加工 | 第48-61页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·SiO_x 纳米线的修饰 | 第49-52页 |
| ·沉积Au并退火下的SiO_x纳米线的表面修饰 | 第49-51页 |
| ·常规电子束辐照下的SiO_x纳米线的复合修饰 | 第51-52页 |
| ·SiO_x 纳米线的高能聚焦电子束下的纳米加工 | 第52-56页 |
| ·电子束沿纳米线中间辐照且束斑大于纳米线的直径 | 第53-54页 |
| ·电子束沿纳米线中间辐照且束斑小于纳米线的直径 | 第54-55页 |
| ·电子束沿纳米线边缘辐照且束斑小于纳米线的直径 | 第55-56页 |
| ·纳米曲率效应和超快过程对纳米线修饰和加工的影响 | 第56-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 附录:硕士期间的研究成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
