| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 1 超高密度光存储的进展 | 第10-24页 |
| ·远场光存储 | 第10-12页 |
| ·基本原理 | 第10-11页 |
| ·发展现状及局限 | 第11-12页 |
| ·三维体存储 | 第12-13页 |
| ·体全息存储 | 第12-13页 |
| ·光子三维存储 | 第13页 |
| ·近场光学存储 | 第13-22页 |
| ·固体浸没透镜近场存储 | 第14-16页 |
| ·超分辨率近场结构(Super-RENS)存储 | 第16-18页 |
| ·探针扫描显微术(PSM)近场存储 | 第18-22页 |
| ·超高密度光存储技术的发展趋势 | 第22-24页 |
| 2 集成的微型SNOM读写尖光学存储系统 | 第24-36页 |
| ·系统的基本框架 | 第24-25页 |
| ·VCSEL的特性分析 | 第25-30页 |
| ·VCSEL的原理和特点 | 第26-27页 |
| ·VCSEL的特性测试 | 第27-30页 |
| ·Ge-Sb-Te膜的特性 | 第30-34页 |
| ·表面形貌 | 第32-33页 |
| ·远场光特性 | 第33-34页 |
| ·GaAs探针尖的特性 | 第34-36页 |
| ·GaAs探针尖的形貌 | 第34-35页 |
| ·GaAs微探针尖的生长 | 第35-36页 |
| 3 VCSEL照射后Ge-Sb-Te膜表面的热效应 | 第36-49页 |
| ·相同功率不同脉冲宽度的激光辐照 | 第36-38页 |
| ·VCSEL直接聚焦 | 第38页 |
| ·VCSEL耦合到光纤后从平端面出射 | 第38页 |
| ·VCSEL耦合到光纤后从光纤尖出射 | 第38-40页 |
| ·VCSEL耦合到光纤后从全镀膜四面锥光纤探针尖出射 | 第40-42页 |
| ·VCSEL通过小孔径探针尖照射后Ge-Sb-Te膜表面的热效应 | 第42-49页 |
| 4 VCSEL对Ge-Sb-Te膜的信息写入实验 | 第49-54页 |
| ·VCSEL聚焦对Ge-Sb-Te膜进行信息写入 | 第49-51页 |
| ·VCSEL耦合到平端面光纤后对Ge-Sb-Te膜进行信息写入 | 第51-52页 |
| ·VCSEL耦合到光纤后从光纤尖出射对Ge-Te-Sb膜进行信息写入 | 第52-54页 |
| 5 PD-VCSEL-Tip微型SNOM读写尖系统的关键技术 | 第54-57页 |
| ·场增强镀膜探针尖的制作 | 第54页 |
| ·探针尖的剥离 | 第54-55页 |
| ·探针尖的粘接 | 第55页 |
| ·系统的集成 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
