| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1. 文献综述 | 第8-28页 |
| ·前言 | 第8页 |
| ·陶瓷基复合材料综述 | 第8-18页 |
| ·陶瓷基复合材料的概念 | 第8-9页 |
| ·陶瓷基复合材料的增韧 | 第9-14页 |
| ·陶瓷基复合材料的应用 | 第14-16页 |
| ·陶瓷基复合材料的复合理论 | 第16-18页 |
| ·颗粒增强陶瓷基复合材料的混合规律 | 第18页 |
| ·颗粒增强复合材料的增韧机理 | 第18-22页 |
| ·微裂纹增韧 | 第19-21页 |
| ·裂纹桥联增韧 | 第21-22页 |
| ·相变增韧 | 第22页 |
| ·氮化钛材料 | 第22-25页 |
| ·氮化钛的结构 | 第22-23页 |
| ·氮化钛的性质 | 第23页 |
| ·氮化钛的应用 | 第23页 |
| ·氮化钛的制备 | 第23-25页 |
| ·TiN基复合材料的研究现状 | 第25-27页 |
| ·TiN-Si_3N_4复合材料的研究现状 | 第25-26页 |
| ·TiN/Ti(C，N)-Al_2O_3复合材料的制备及研究 | 第26-27页 |
| ·展望 | 第27页 |
| ·本论文的研究方向、目的、意义 | 第27-28页 |
| 2. 复合陶瓷导电机理研究 | 第28-38页 |
| ·导电复合材料的导电机理 | 第28-31页 |
| ·复合陶瓷材料渗流理论 | 第31-33页 |
| ·影响渗流阀值的因素 | 第33-35页 |
| ·渗流阀值与晶粒尺寸的关系 | 第33-35页 |
| ·渗流阀值与晶粒形状的关系 | 第35页 |
| ·影响渗流曲线的因素 | 第35-36页 |
| ·温度的影响 | 第35-36页 |
| ·临界指数及渗流阀值的影响 | 第36页 |
| ·晶界影响 | 第36页 |
| ·应用 | 第36-38页 |
| 3. 实验原理及方案 | 第38-50页 |
| ·前言 | 第38-39页 |
| ·复相陶瓷设计原则 | 第39-40页 |
| ·试样制备 | 第40-45页 |
| ·原料 | 第40-42页 |
| ·试样制备过程 | 第42-45页 |
| ·试样的检测与表征 | 第45-49页 |
| ·体积密度、气孔率的检测(GB/T2997-2000) | 第45-46页 |
| ·三点弯曲强度检测 | 第46-47页 |
| ·断裂韧性检测 | 第47页 |
| ·电阻率的测量 | 第47-48页 |
| ·扫描电镜和能谱分析 | 第48-49页 |
| ·实验主要仪器及设备 | 第49-50页 |
| 4. 实验结果及讨论 | 第50-70页 |
| ·烧结温度对TiN-Al_2O_3复合材料性能的影响 | 第50-55页 |
| ·烧结温度对材料相对密度的影响 | 第50-51页 |
| ·烧结温度对材料抗弯强度的影响 | 第51-53页 |
| ·烧结温度对材料断裂韧性的影响 | 第53页 |
| ·烧结温度对材料导电性能的影响 | 第53-55页 |
| ·TiN含量对TiN-Al_2O_3复合材料性能的影响 | 第55-57页 |
| ·TiN含量对材料相对密度的影响 | 第55-56页 |
| ·TiN含量对材料弯曲强度的影响 | 第56页 |
| ·TiN含量对材料断裂韧性的影响 | 第56-57页 |
| ·TiN含量对TiN-Al_2O_3复合材料导电性能的影响 | 第57-59页 |
| ·TiN的临界体积分数 | 第59-61页 |
| ·TiN-Al_2O_3复合材料增韧机理研究 | 第61-64页 |
| ·TiN-Al_2O_3复合材料显微结构分析 | 第64-66页 |
| ·TiN-Al_2O_3复合材料导电机理和影响导电机理的因素 | 第66-69页 |
| ·TiN-Al_2O_3复合材料导电机理 | 第66-67页 |
| ·影响TiN-Al_2O_3复合材料导电性能的因素 | 第67-69页 |
| ·本章小节 | 第69-70页 |
| 5. 结论与展望 | 第70-71页 |
| ·结论 | 第70页 |
| ·展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
