| Chinese Abstract | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 Overview | 第10-16页 |
| ·Motivation | 第10-12页 |
| ·Research objectives | 第12-13页 |
| ·Basic idea for this research work | 第13页 |
| ·The outline and organization of this dissertation | 第13-16页 |
| 2 Experimental Set Up and Procedure:Growth and Measurements | 第16-28页 |
| ·Sample Growth System | 第16-18页 |
| ·Structure characterization Tools | 第18-19页 |
| ·Composition characterization of Samples | 第19-20页 |
| ·Electric Characterization Tools | 第20-28页 |
| ·The deposition of electrode on sample | 第20-21页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ measurement | 第21页 |
| ·Capacitance-Voltage Spectroscopy | 第21-22页 |
| ·Admittance Spectroscopy Measurements | 第22-23页 |
| ·Admittance Spectroscopy system based on PPMS | 第23-28页 |
| 3 Theory principles and the basic model for admittance spectroscopy | 第28-56页 |
| ·Theory Frame | 第28-38页 |
| ·Fermi golden rule and transition rate | 第28-30页 |
| ·Scattering rate and the relaxation times | 第30-31页 |
| ·The distribution function,f(r,p,t) | 第31页 |
| ·Boltzmann Transport equation | 第31-33页 |
| ·Balance equation of BTE | 第33-35页 |
| ·The collision term in BTE | 第35-37页 |
| ·Classification of common Scattering mechanisms | 第37-38页 |
| ·GeSi system | 第38-40页 |
| ·band structure | 第38-40页 |
| ·common Scattering mechanisms for covalent semiconductor | 第40页 |
| ·Theory of the admittance spectroscopy of quantum structure | 第40-56页 |
| ·what is the admittance | 第40-42页 |
| ·The equivalent circuit based sample structure | 第42-44页 |
| ·The derivation of capacitance and the conductance coming from quantum structure layer | 第44-46页 |
| ·basic model | 第46-47页 |
| ·The derivation of the emission rate and capture rate from the model | 第47-50页 |
| ·phonon | 第50-51页 |
| ·Transition rate for the quantum structure | 第51-56页 |
| 4 Admittance spectroscopy for Quantum well | 第56-88页 |
| ·Introduction | 第56-58页 |
| ·Experimental measurement | 第58-60页 |
| ·theoretical approach | 第60-72页 |
| ·Conductance and capacitance | 第60-64页 |
| ·Emission rate | 第64-68页 |
| ·Si/Si_(1-x)Ge_x/Si quantum wells | 第68-72页 |
| ·results and discussions | 第72-74页 |
| ·AS of quantum well | 第72-74页 |
| ·summary and conclusions | 第74-75页 |
| ·Description of quantum well in the magnetic field | 第75-79页 |
| ·Emission and capture rates | 第77-79页 |
| ·Appendix A | 第79-80页 |
| ·Appendix B | 第80-83页 |
| ·Appendix C | 第83-84页 |
| ·Appendix D | 第84-88页 |
| 5 Admittance spectroscopy for Quantum Dot | 第88-114页 |
| ·introduction | 第88-90页 |
| ·samples and measurements | 第90-94页 |
| ·theoretical approach | 第94-105页 |
| ·Conductance and capacitance | 第95-99页 |
| ·GeSi-based QD systems | 第99-103页 |
| ·Emission and capture rates | 第103-104页 |
| ·Further considerations | 第104-105页 |
| ·results and discussions | 第105-109页 |
| ·Summary | 第109-110页 |
| ·Appendix | 第110-114页 |
| 6 Theory Model and Measurement of confining strength parameter in Quantum dot | 第114-126页 |
| ·introduction | 第114-116页 |
| ·Experimental results | 第116-120页 |
| ·theoretical results | 第120-122页 |
| ·Summary | 第122-126页 |
| 7 Summary of the dissertation | 第126-128页 |
| List of publication and conferences | 第128-129页 |
| 致谢 | 第129-131页 |
