| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1-1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1-1-1 太阳能电池研究意义 | 第10页 |
| 1-1-2 硅基薄膜太阳能电池在光伏中的地位 | 第10-11页 |
| 1-1-3 硅基薄膜太阳能电池面临的问题及主要的解决方案 | 第11页 |
| 1-2 微晶硅锗薄膜材料研究的意义 | 第11-12页 |
| 1-3 课题来源及试验设备简介 | 第12-14页 |
| 1-3-1 课题来源 | 第12页 |
| 1-3-2 试验设备简介 | 第12-14页 |
| 1-4 论文结构 | 第14-15页 |
| 第二章 材料和电池测试 | 第15-24页 |
| 2-1 材料测试 | 第15-16页 |
| 2-1-1 电学特性测试 | 第15-16页 |
| 2-1-2 光学特性测试 | 第16页 |
| 2-2 材料微结构测试 | 第16-18页 |
| 2-2-1 喇曼（Raman）散射光谱 | 第16-17页 |
| 2-2-2 X 射线衍射谱（XRD） | 第17-18页 |
| 2-2-3 扫描电子显微镜（SEM） | 第18页 |
| 2-3 材料成分测试 | 第18-21页 |
| 2-3-1 X 射线光电子能谱 | 第18页 |
| 2-3-2 荧光 X 射线 | 第18-21页 |
| 2-4 太阳能电池特性测试 | 第21-23页 |
| 2-4-1 单晶硅PN 结二极管模型 | 第21-22页 |
| 2-4-2 pin 型电池 | 第22页 |
| 2-4-3 微晶硅锗太阳能电池 | 第22-23页 |
| 2-4-4 太阳能电池电学特性测试 | 第23页 |
| 2-5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 实验方案选择 | 第24-28页 |
| 3-1 引言 | 第24页 |
| 3-2 RT-CVD 方法的特点 | 第24-25页 |
| 3-3 PECVD 的概念及其特点 | 第25-26页 |
| 3-3-1 频率对 PECVD 的影响 | 第26页 |
| 3-4 我们的选择 | 第26-27页 |
| 3-5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 微晶硅锗材料研究 | 第28-40页 |
| 4-1 引言 | 第28页 |
| 4-2 沉积工艺对微晶薄膜材料的影响 | 第28-35页 |
| 4-2-1 衬底温度对微晶硅锗材料的影响 | 第28-30页 |
| 4-2-2 辉光功率对微晶硅锗材料的影响 | 第30-32页 |
| 4-2-3 氢稀释率对微晶硅锗材料的影响 | 第32-33页 |
| 4-2-4 反应气体压力对微晶硅锗材料的影响 | 第33-35页 |
| 4-3 氟化锗对材料制备的影响 | 第35-36页 |
| 4-3-1 氟化锗对材料的影响 | 第35页 |
| 4-3-2 不同锗含量对材料的影响 | 第35-36页 |
| 4-4 微晶硅锗材料的吸收谱 | 第36-37页 |
| 4-5 微晶硅锗材料的表面形貌 | 第37-38页 |
| 4-6 本章小结 | 第38-40页 |
| 第五章 微晶锗硅材料在电池中的应用 | 第40-48页 |
| 5-1 引言 | 第40页 |
| 5-2 制备微晶硅锗太阳能电池 | 第40-43页 |
| 5-2-1 透明金属氧化物简介 | 第40-41页 |
| 5-2-2 微晶硅锗太阳能电池的制备 | 第41-43页 |
| 5-3 p-μc-Si:H 层材料的研究 | 第43-47页 |
| 5-3-1 反应气压对p-μc-Si:H 材料电特性的影响 | 第44-45页 |
| 5-3-2 功率对 P-μc-Si:H 材料电特性的影响 | 第45页 |
| 5-3-3 反应气压对材料结晶的影响 | 第45-46页 |
| 5-3-4 P-μc-Si:H 材料的表面形貌 | 第46-47页 |
| 5-3-5 P-μc-Si:H 材料的透过率 | 第47页 |
| 5-4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第56页 |
