非晶硒薄膜X射线光电转换特性的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·X 射线透视成像系统的发展 | 第9-11页 |
| ·非晶硒X 射线平板探测器的发展和现状 | 第11-18页 |
| ·X 射线平板探测器(FPD)发展概况 | 第11-12页 |
| ·非晶硅X 射线平板探测器 | 第12-14页 |
| ·非晶硒X 射线平板探测器 | 第14-16页 |
| ·两种探测器的对比 | 第16-17页 |
| ·小结 | 第17-18页 |
| ·课题研究内容及意义 | 第18-20页 |
| 第二章 非晶硒薄膜的制备及其性能表征 | 第20-30页 |
| ·非晶硒薄膜概述 | 第20-24页 |
| ·非晶态薄膜半导体概述 | 第20-22页 |
| ·硒 | 第22-24页 |
| ·真空蒸镀系统及成膜机理 | 第24-26页 |
| ·真空热蒸镀系统 | 第24-26页 |
| ·成膜的基本原理 | 第26页 |
| ·非晶硒薄膜的性能表征 | 第26-30页 |
| ·暗电阻率测试 | 第26-27页 |
| ·XRD 测试 | 第27-29页 |
| ·光电性能的测试 | 第29-30页 |
| 第三章 单质非晶硒膜的制备及其性能测试 | 第30-48页 |
| ·制备单质非晶硒薄膜 | 第30-31页 |
| ·真空镀膜系统的调整 | 第30-31页 |
| ·非晶硒薄膜的制备 | 第31页 |
| ·蒸发高度对薄膜性能的影响 | 第31-33页 |
| ·蒸发速率对薄膜性能的影响 | 第33-39页 |
| ·电阻测试结果 | 第34-36页 |
| ·XRD 测试结果 | 第36-38页 |
| ·光电流测试 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39页 |
| ·不同退火温度对薄膜晶化的影响 | 第39-43页 |
| ·薄膜的光电性能测试 | 第43-46页 |
| ·薄膜暗电流 | 第44-45页 |
| ·薄膜光电流测试 | 第45-46页 |
| ·其他因素对非晶硒薄膜晶化的影响 | 第46-47页 |
| ·本章总结 | 第47-48页 |
| 第四章 非晶硒薄膜掺杂实验及其性能测试 | 第48-62页 |
| ·掺杂元素的选择 | 第48-50页 |
| ·硫系玻璃中的掺杂作用 | 第48-49页 |
| ·掺杂元素的选择 | 第49-50页 |
| ·非晶锑(Sb)的掺杂原理 | 第50页 |
| ·Se/Sb 双层膜结构的薄膜制备及性能测试 | 第50-54页 |
| ·Se/Sb 双层膜结构的薄膜制备 | 第50-51页 |
| ·Se/Sb 双层膜样品的性能测试及分析 | 第51-54页 |
| ·Se/Sb 合金薄膜制备及性能测试 | 第54-62页 |
| ·Se/Sb 合金薄膜的制备 | 第54页 |
| ·Sb 的不同掺杂比对非晶硒薄膜晶化的影响 | 第54-59页 |
| ·薄膜的光电性能测试 | 第59-62页 |
| 第五章 结论与展望 | 第62-64页 |
| ·本文主要研究内容与结论 | 第62-63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
