冶金法多晶硅中的缺陷及磷吸杂实验研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| ·引言 | 第9-12页 |
| ·光伏产业用多晶硅材料发展现状 | 第12-16页 |
| ·光伏产业的发展对多晶硅的需求 | 第12-13页 |
| ·我国及其它国家主要多晶硅生产厂的生产规模及状况 | 第13-16页 |
| ·西门子法生产厂的生产规模及状况 | 第13-15页 |
| ·冶金法生产厂的生产规模及状况 | 第15-16页 |
| ·多晶硅材料的特点 | 第16-20页 |
| ·冶金法多晶硅中的主要杂质 | 第17-18页 |
| ·冶金法多晶硅中的缺陷 | 第18页 |
| ·硅片的电阻率、少子寿命及其影响因素 | 第18-20页 |
| ·电阻率和少子寿命的表征 | 第18-20页 |
| ·影响硅片电阻率及少子寿命的主要因素及改进工艺 | 第20页 |
| ·多晶硅材料的生长工艺 | 第20-25页 |
| ·西门子法多晶硅 | 第21-22页 |
| ·铸造多晶硅 | 第22-23页 |
| ·冶金法多晶硅 | 第23-25页 |
| ·本论文研究的内容,方法及意义 | 第25-26页 |
| ·本论文的创新点 | 第26-27页 |
| 第二章 实验设备与方案 | 第27-41页 |
| ·实验材料及设备 | 第27-30页 |
| ·实验材料 | 第27-28页 |
| ·实验设备 | 第28-30页 |
| ·GDMS在多晶硅材料中的应用 | 第30-31页 |
| ·SIMS在多晶硅材料中的应用 | 第31页 |
| ·EBSD在多晶硅材料中晶界类型分析中的应用 | 第31-33页 |
| ·双电测四探针测试仪设备介绍 | 第33-35页 |
| ·少子寿命测试仪设备介绍 | 第35-36页 |
| ·实验方案 | 第36-41页 |
| ·凝固速率对UMG-Si中缺陷影响的实验方案 | 第37-38页 |
| ·磷吸杂对硅片性能影响的实验方案 | 第38-41页 |
| 第三章 冶金法多晶硅铸锭中的缺陷及杂质分布研究 | 第41-67页 |
| ·晶体缺陷对太阳电池性能的影响 | 第41-42页 |
| ·实验部分 | 第42-66页 |
| ·金属杂质及碳、氧含量对晶体硅太阳电池质量的影响 | 第43-50页 |
| ·金属杂质对晶体硅太阳电池质量的影响 | 第43-49页 |
| ·碳和氧对晶硅太阳电池质量的影响 | 第49-50页 |
| ·凝固速率对位错产生行为的影响 | 第50-53页 |
| ·凝固速率对晶体生长取向及形态的影响 | 第53-56页 |
| ·凝固速率对晶体生长取向的影响 | 第53-55页 |
| ·凝固速率对宏观晶体生长形态的影响 | 第55-56页 |
| ·凝固速率对晶界类型的影响 | 第56-58页 |
| ·凝固速率对晶粒尺寸的影响 | 第58-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第四章 冶金法多晶硅磷吸杂的实验研究 | 第67-79页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·磷吸杂工艺与实验研究 | 第68-70页 |
| ·实验结果与分析 | 第70-77页 |
| ·吸杂对缺陷的影响(杂质、金相、晶界) | 第70-75页 |
| ·金属杂质分析 | 第70页 |
| ·金相分析 | 第70-72页 |
| ·晶界分析 | 第72-75页 |
| ·电阻率和少子寿命分析 | 第75-77页 |
| ·冶金法多晶硅测试技术指标要求 | 第75页 |
| ·吸杂对电阻率的影响 | 第75-76页 |
| ·吸杂对少子寿命的影响 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第五章 结论与展望 | 第79-81页 |
| ·结论 | 第79页 |
| ·展望与建议 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-90页 |
| 附录 攻读硕士期间参与的主要工作 | 第90-91页 |
