| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-11页 |
| 主要符号表 | 第11-12页 |
| 1 绪论 | 第12-23页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·问题的提出 | 第13-15页 |
| ·晶体生长概述 | 第15-19页 |
| ·浮区法(Fz)晶体生长技术 | 第17-18页 |
| ·液封直拉法(LEC)晶体生长技术 | 第18-19页 |
| ·晶体中热应力研究现状 | 第19-21页 |
| ·LEC 法生长GaAs、InP 晶体中热应力研究现状 | 第19-21页 |
| ·Fz 法生长GaAs 晶体中热应力研究现状 | 第21页 |
| ·本课题的研究内容 | 第21-23页 |
| 2 热弹性力学概述 | 第23-31页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·弹性力学简介 | 第23-24页 |
| ·弹性力学基本方程 | 第24-27页 |
| ·弹性力学方程的直角坐标形式 | 第24-25页 |
| ·弹性力学方程的柱坐标形式 | 第25-26页 |
| ·静力边界条件的直角坐标与柱坐标形式 | 第26页 |
| ·位移法求解弹性力学方程 | 第26-27页 |
| ·热应力的概念 | 第27-29页 |
| ·线性热应力理论简介 | 第28-29页 |
| ·热弹性力学基本方程 | 第29-31页 |
| 3 物理及数学模型的建立 | 第31-37页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·物理模型及相关假设 | 第31-32页 |
| ·LEC 法生长GaAs、InP 晶体的物理模型及相关假设 | 第31页 |
| ·LEFZ 法生长GaAs 晶体的物理模型及相关假设 | 第31-32页 |
| ·计算所用到的物性参数 | 第32页 |
| ·数学模型及其简化 | 第32-34页 |
| ·控制方程组的描述 | 第32-33页 |
| ·边界条件 | 第33-34页 |
| ·控制方程组和边界条件的无量纲化 | 第34-37页 |
| ·LEC 法生长GaAs、InP 晶体中热应力控制方程组与边界条件的无量纲化 | 第34-35页 |
| ·LEFZ 法生长GaAs 晶体中热应力控制方程组与边界条件的无量纲化 | 第35-37页 |
| 4 数值求解 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·有限单元法简介 | 第37-39页 |
| ·数值计算方法 | 第39-45页 |
| ·等参单元 | 第39-40页 |
| ·单元矩阵的变换 | 第40-43页 |
| ·单元变分计算方程 | 第43-45页 |
| ·高斯数值积分 | 第45页 |
| ·计算求解步骤 | 第45-47页 |
| 5 计算结果与分析 | 第47-72页 |
| ·LEC 法GaAs 单晶生长中热应力分布 | 第47-56页 |
| ·不同液封厚度(h_e)下的热应力分布 | 第47-52页 |
| ·不同磁场强度(Ha)下的热应力分布 | 第52-54页 |
| ·不同晶体转速(ω_s)下的热应力分布 | 第54-56页 |
| ·LEFZ 法GaAs 单晶生长中热应力分布 | 第56-60页 |
| ·不同液封厚度(h_e)下的热应力分布 | 第56-57页 |
| ·不同晶体转速(ω_s)与进料棒转速(ω_f)下的热应力分布 | 第57-60页 |
| ·LEC 法InP 单晶生长中热应力分布 | 第60-72页 |
| ·不同液封厚度(h_e)下的热应力分布 | 第60-63页 |
| ·不同磁场强度(Ha)下的热应力分布 | 第63-64页 |
| ·不同提拉速度(V_s)下的热应力分布 | 第64-66页 |
| ·不同晶体转速(ω_s) 与坩埚转速下(ω_c)下的热应力分布 | 第66-72页 |
| 6 研究结论及工作展望 | 第72-74页 |
| ·LEC 法生长 GaAs 单晶中热应力分布 | 第72页 |
| ·LEFZ 法生长 GaAs 单晶中热应力分布 | 第72页 |
| ·LEC 法生长 InP 单晶中热应力分布 | 第72-73页 |
| ·工作展望 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 附录 | 第78-79页 |
| 独创性声明 | 第79页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第79页 |
