| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstaract | 第5-9页 |
| 第 1 章 绪论 | 第9-20页 |
| ·a-Si:H 薄膜研究进展 | 第10-13页 |
| ·a-Si:H 的结构特点 | 第13-17页 |
| ·a-Si:H 的结构特点 | 第13-17页 |
| ·a-Si:H 的光电性质 | 第17-20页 |
| ·a-Si:H 的光吸收 | 第17-18页 |
| ·a-Si:H 的导电性能 | 第18页 |
| ·a-Si:H 的亚稳定性 | 第18-20页 |
| 第 2 章 MWECR CVD 系统原理与结构 | 第20-35页 |
| ·等离子体概述 | 第21-23页 |
| ·等离子体的基本概念 | 第21-22页 |
| ·等离子体的存在尺度 | 第22-23页 |
| ·微波电子回旋共振(MW ECR)等离子体 | 第23-25页 |
| ·MW ECR 原理 | 第23-24页 |
| ·MW ECR 等离子体特点 | 第24-25页 |
| ·用 ECR 等离子体沉积 a-Si:H 薄膜的生长机制 | 第25-27页 |
| ·MW-ECR CVD 系统结构 | 第27-29页 |
| ·a-Si:H 薄膜分析测试方法 | 第29-34页 |
| ·FTIR 红外吸收谱 | 第29-32页 |
| ·Raman 散射谱 | 第32-33页 |
| ·X-ray 衍射谱 | 第33页 |
| ·紫外-可见透射和反射光谱 | 第33页 |
| ·直流电导测量 | 第33-34页 |
| 本章小结 | 第34-35页 |
| 第 3 章 MW ECR CVD 制备 a-Si:H 薄膜的工艺研究 | 第35-61页 |
| ·实验 | 第36-37页 |
| ·工艺参数实验优化与分析 | 第37-60页 |
| ·预真空 | 第38-39页 |
| ·气体压强与 a-Si:H 薄膜 | 第39-45页 |
| ·H2/SiH4稀释比与 a-Si:H 薄膜 | 第45-50页 |
| ·磁场分布与 a-Si:H 薄膜 | 第50-59页 |
| ·微波功率与 a-Si:H 薄膜 | 第59-60页 |
| 本章小结 | 第60-61页 |
| 第 4 章 热丝辅助 MW ECR CVD 高速制备优质 a-Si:H | 第61-76页 |
| ·热丝 CVD 技术进展 | 第61-62页 |
| ·热丝的优点与不足 | 第62页 |
| ·HWCVD 的基本反应过程 | 第62-64页 |
| ·实验 | 第64-65页 |
| ·实验结果与分析 | 第65-73页 |
| ·实验结果 | 第65-72页 |
| ·实验分析 | 第72-73页 |
| ·HW MW ECRCVD 系统沉积 a-Si:H 薄膜均匀性分析 | 第73-75页 |
| 本章小结 | 第75-76页 |
| 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 硕士期间发表的学术论文 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
