| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-10页 |
| ·磁泡存储器和布络赫线存储器 | 第7-8页 |
| ·选题背景和内容 | 第8-10页 |
| 第二章 磁畴壁物理基础 | 第10-27页 |
| ·磁畴与磁泡 | 第10-15页 |
| ·基本概念 | 第10页 |
| ·磁泡的形成条件 | 第10-11页 |
| ·磁泡的静态特性 | 第11-14页 |
| ·产生磁泡的材料 | 第14-15页 |
| ·磁畴壁和布络赫线 | 第15-25页 |
| ·磁畴壁结构 | 第15-18页 |
| ·布络赫线 | 第18-21页 |
| ·布络赫线间的相互作用 | 第21-23页 |
| ·布络赫点 | 第23-25页 |
| ·硬磁畴的分类和实验研究 | 第25-27页 |
| 第三章 实验内容 | 第27-44页 |
| ·实验准备 | 第27-31页 |
| ·温度和面内场共同作用下OHB畴壁内VBL的解体 | 第31-35页 |
| ·面内场和温度作共同用下ID畴壁内VBL的稳定性 | 第35-41页 |
| ·综合分析 | 第41-44页 |
| 第四章 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 发表文章 | 第47-48页 |