| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-15页 |
| 第一章 引言 | 第15-33页 |
| ·研究背景及意义 | 第15-17页 |
| ·单片OEICs的研究进展 | 第17-24页 |
| ·Si基单片OEICs | 第17-19页 |
| ·GaAs基单片OEICs | 第19-20页 |
| ·InP基单片OEICs | 第20-22页 |
| ·国内单片OEICs的研究进展 | 第22页 |
| ·单片OEICs进展小结 | 第22-24页 |
| ·半导体激光微细加工技术进展 | 第24-29页 |
| ·激光辅助掺杂 | 第24-26页 |
| ·激光退火 | 第26-27页 |
| ·激光淀积 | 第27-28页 |
| ·激光腐蚀 | 第28页 |
| ·国内半导体激光微细加工技术的进展 | 第28-29页 |
| ·半导体激光微细加工技术的进展小结 | 第29页 |
| ·用激光微细加工技术制做单片OEICs | 第29-30页 |
| ·本文的主要工作 | 第30-33页 |
| 第二章 平面型InGaAs／InP PIN PD的激光微细加工制做 | 第33-51页 |
| ·平面型InGaAs／InP PIN PD | 第33-35页 |
| ·用激光微细加工技术制做平面型InGaks／InP PIN PD | 第35-43页 |
| ·探测器的制做工艺 | 第35-36页 |
| ·激光微细加工的实验装置和工艺步骤 | 第36-39页 |
| ·实验装置 | 第36-37页 |
| ·激光诱导扩散 | 第37-38页 |
| ·激光辅助合金 | 第38-39页 |
| ·实验结果及讨论 | 第39-43页 |
| ·激光诱导扩散的实验结果及讨论 | 第39页 |
| ·激光辅助合金的实验结果及讨论 | 第39-42页 |
| ·平面型InGaAs／InP PIN PD的测试结果及讨论 | 第42-43页 |
| ·影响平面型垂直结构PIN PD性能的因素 | 第43-46页 |
| ·影响响应度的因素 | 第43页 |
| ·影响暗电流的因素 | 第43-45页 |
| ·影响频率响应的因素 | 第45-46页 |
| ·InP衬底中Zn扩散的理论基础 | 第46-49页 |
| ·Zn在InP中的扩散机制 | 第46-47页 |
| ·扩散杂质的浓度分布 | 第47-49页 |
| ·激光诱导扩散工艺的改进 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 半导体基片表面激光微细加工区的温度测量 | 第51-78页 |
| ·原有系统及存在的不足 | 第52-55页 |
| ·实验装置和工作原理 | 第52-54页 |
| ·系统在实际使用时遇到的问题 | 第54-55页 |
| ·计算机温度测量系统 | 第55-72页 |
| ·系统组成和工作原理 | 第55-56页 |
| ·探测器成像系统设计 | 第56-57页 |
| ·电路设计 | 第57-65页 |
| ·电流放大器 | 第57-59页 |
| ·A／D转换器 | 第59-60页 |
| ·精密电动平台及其驱动电路 | 第60-61页 |
| ·EPP接口电路 | 第61-65页 |
| ·计算机软件设计 | 第65-71页 |
| ·人机交互 | 第66页 |
| ·问题域 | 第66-70页 |
| ·数据管理 | 第70-71页 |
| ·系统实验结果及讨论 | 第71-72页 |
| ·探测器光敏面和基片表面的纵向对准 | 第72-77页 |
| ·纵向对准误差对温度测量的影响 | 第72-74页 |
| ·纵向对准的方法 | 第74-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第四章 Inp基片在10.6μm聚焦激光束局域加热时的温度上升 | 第78-99页 |
| ·InP基片在10.6μm聚焦激光束局域加热时的热致破坏 | 第78-81页 |
| ·热致破坏现象 | 第78-79页 |
| ·热致破坏现象的解释 | 第79-81页 |
| ·半导体基片在10.6μm聚焦激光束局域加热时温度上升的计算 | 第81-87页 |
| ·计算理论 | 第81-83页 |
| ·计算结果与讨论 | 第83-87页 |
| ·InP基片在10.6μm聚焦激光束局域加热时温度上升的测量结果 | 第87-91页 |
| ·热致破坏的进一步抑制及基片曝光区温度的控制 | 第91-97页 |
| ·采用电磁快门控制入射激光功率 | 第91-92页 |
| ·曝光区温度自动控制 | 第92-97页 |
| ·系统组成和工作原理 | 第92-93页 |
| ·控制策略 | 第93页 |
| ·系统软硬件设计 | 第93-96页 |
| ·实验结果 | 第96-97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 第五章 激光微细加工区温度分布均匀化 | 第99-122页 |
| ·激光束照射引起的半导体基片表面温升的分布 | 第100-102页 |
| ·用掩模对焦斑光强进行空间调制实现温度分布均匀化 | 第102-106页 |
| ·实现加工区温度分布均匀化的方法 | 第102-103页 |
| ·激光焦斑光强分布的计算 | 第103-104页 |
| ·结果与讨论 | 第104-106页 |
| ·用二元光学元件实现温度分布均匀化 | 第106-121页 |
| ·用二元光学元件进行光强分布变换 | 第106-109页 |
| ·二元光学元件 | 第106-107页 |
| ·用二元光学元件进行光强分布变换的基本原理 | 第107页 |
| ·用二元光学元件实现光强分布变换的理论基础 | 第107-109页 |
| ·实现温度分布均匀化的理想光强分布 | 第109-110页 |
| ·用遗传算法设计二元光学元件 | 第110-117页 |
| ·二元光学元件设计的任务 | 第110-111页 |
| ·遗传算法的基本原理 | 第111-112页 |
| ·遗传算法的基本流程 | 第112-113页 |
| ·编码方法 | 第113-114页 |
| ·适应值的度量方法 | 第114页 |
| ·复制、杂交和变异的方法 | 第114-116页 |
| ·停止准则 | 第116-117页 |
| ·结果及讨论 | 第117-121页 |
| ·设计参数的选取 | 第117-118页 |
| ·设计结果 | 第118-121页 |
| ·本章小结 | 第121-122页 |
| 第六章 激光微细加工中的对准技术 | 第122-132页 |
| ·激光焦斑和激光微细加工区的精确对准 | 第122-125页 |
| ·对准方法 | 第122-124页 |
| ·对准实验结果 | 第124-125页 |
| ·二次离子质谱分析中刻蚀区与扩散区的对准 | 第125-131页 |
| ·二次离子质谱仪的基本工作原理 | 第125-126页 |
| ·扩散浓度深度分布的测量方法 | 第126-128页 |
| ·刻蚀区与扩散区的对准方法 | 第128-129页 |
| ·实验结果 | 第129-131页 |
| ·本章小结 | 第131-132页 |
| 第七章 用激光微细加工辅助制做单片集成光接收机 | 第132-140页 |
| ·单片集成光接收机的材料结构和参数设计 | 第132-136页 |
| ·材料选择 | 第132-133页 |
| ·有源器件的选择 | 第133-134页 |
| ·器件结构设计 | 第134-136页 |
| ·垂直结构MPIN／MHEMT单片集成光接收机的工艺 | 第136-139页 |
| ·总体工艺流程 | 第136-139页 |
| ·激光诱导扩散工艺流程 | 第139页 |
| ·本章小结 | 第139-140页 |
| 第八章 结论 | 第140-143页 |
| 参考文献 | 第143-156页 |
| 致谢 | 第156-157页 |
| 个人简历 | 第157-158页 |
| 博士论文期间发表或被录用的论文 | 第158-159页 |
