重掺砷硅单晶中氧沉淀及诱生缺陷的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·文献综述 | 第9-21页 |
| ·直拉硅中的氧 | 第9-10页 |
| ·氧沉淀对硅材料和器件质量的影响 | 第10页 |
| ·氧沉淀的热处理性质 | 第10-11页 |
| ·氧沉淀的形态 | 第11-12页 |
| ·氧沉淀的形核长大 | 第12-13页 |
| ·氧沉淀的检测 | 第13-14页 |
| ·重掺杂硅单晶中氧沉淀行为的研究 | 第14-18页 |
| ·掺杂剂对氧沉淀影响的几种模型 | 第18-19页 |
| ·氧沉淀的内吸杂效应 | 第19-21页 |
| ·本文主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 实验设备及方法 | 第22-27页 |
| ·样品制备 | 第22页 |
| ·实验方案 | 第22-27页 |
| ·实验设备 | 第22页 |
| ·热处理 | 第22-24页 |
| ·化学腐蚀 | 第24页 |
| ·光学显微观察 | 第24-25页 |
| ·扫描电子显微镜观察 | 第25页 |
| ·透射电子显微镜观察 | 第25-27页 |
| 第三章 重掺As硅单晶中氧沉淀行为的研究 | 第27-42页 |
| ·重掺砷硅衬底片中氧沉淀的宏观状态 | 第27-36页 |
| ·实验结果 | 第27-34页 |
| ·分析及讨论 | 第34-36页 |
| ·氧沉淀及诱生缺陷的TEM观察 | 第36-41页 |
| ·实验结果 | 第36-39页 |
| ·分析及讨论 | 第39-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第四章 重掺杂硅衬底片的内吸除效应 | 第42-51页 |
| ·实验结果 | 第42-48页 |
| ·低温-高温两步退火 | 第42-44页 |
| ·高温-低温-高温三步退火 | 第44页 |
| ·改进的渐升温退火 | 第44-48页 |
| ·分析与讨论 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第57页 |
