| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| 2 GaAs微探尖阵列的制备 | 第13-25页 |
| ·掩膜的制备 | 第13-16页 |
| ·电子束蒸发法制备SiO_2薄膜 | 第13-14页 |
| ·磁控溅射法制备SiO_2薄膜 | 第14-16页 |
| ·周期性窗口的形成--光刻与腐蚀 | 第16-17页 |
| ·选择液相外延法生长GaAs微探尖 | 第17-25页 |
| ·选择液相外延法生长GaAs微探尖的原理 | 第17-20页 |
| ·GaAs微探尖生长源的配置 | 第20-22页 |
| ·GaAs微探尖的制备工艺 | 第22-25页 |
| 3 GaAs微探尖的剥离 | 第25-28页 |
| ·浓HCl选择腐蚀Al_(0.7)Ga_(0.3)As法剥离微探尖 | 第25-26页 |
| ·氨水-双氧水腐蚀GaAs衬底法剥离微探尖 | 第26-28页 |
| 4 GaAs微探尖的粘合集成 | 第28-30页 |
| ·GaAs微探尖与VCSEL的集成 | 第28-29页 |
| ·GaAs微探尖与光纤端面的集成 | 第29-30页 |
| 5 结果与讨论 | 第30-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |