| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-48页 |
| ·纳米光电功能薄膜及在有机太阳能电池领域的应用研究 | 第14-22页 |
| ·薄膜有机太阳能电池领域的研究进展 | 第15-19页 |
| ·纳米结构薄膜在有机太阳能电池中的应用 | 第19-22页 |
| ·几种典型的半导体材料及其在太阳能电池领域的应用和研究 | 第22-27页 |
| ·酞菁和苝酰亚胺衍生物 | 第22-24页 |
| ·C_(60) | 第24-27页 |
| ·电化学沉积法在制备有机半导体纳米线、薄膜中的应用 | 第27-30页 |
| ·半导体纳米线、薄膜的制备方法 | 第27-28页 |
| ·电化学沉积制备半导体纳米薄膜的研究进展 | 第28-30页 |
| ·电化学沉积制备金属和无机半导体纳米线、薄膜 | 第28-29页 |
| ·电化学沉积制备有机半导体纳米线、薄膜 | 第29-30页 |
| ·AAO模板法制备有机半导体纳米阵列的研究 | 第30-36页 |
| ·电化学沉积 | 第31-32页 |
| ·电泳沉积法 | 第32-34页 |
| ·模板填充法 | 第34-36页 |
| ·课题的提出及其意义 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-48页 |
| 第二章 酞菁及吡啶-苝酰亚胺有机光电材料的合成与表征 | 第48-61页 |
| ·酞菁类有机光电材料的合成与表征 | 第48-55页 |
| ·金属酞菁的合成 | 第48-49页 |
| ·稀土酞菁的合成 | 第49-51页 |
| ·无水氯化物的制备 | 第49-50页 |
| ·稀土酞菁的合成 | 第50-51页 |
| ·酞菁的表征 | 第51-55页 |
| ·元素分析 | 第51页 |
| ·红外(FTIR)光谱 | 第51-52页 |
| ·紫外-可见(UV-vis)吸收光谱 | 第52-53页 |
| ·近红外(NIR)吸收光谱 | 第53-54页 |
| ·DSC-TGA分析 | 第54-55页 |
| ·吡啶-苝酰亚胺(PPD)的合成与表征 | 第55-57页 |
| ·PPD的合成 | 第55页 |
| ·PPD的表征 | 第55-57页 |
| ·FTIR吸收光谱 | 第55-56页 |
| ·UV-vis吸收光谱 | 第56-57页 |
| ·DSC-TGA分析 | 第57页 |
| ·本章结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第三章 电泳沉积法制备酞菁铒/PPD纳米薄膜及其光电性能研究 | 第61-88页 |
| ·酞菁铒/PPD电泳沉积的机理 | 第61-64页 |
| ·酞菁/PPD的质子化、去质子化可逆过程 | 第61-62页 |
| ·UV-vis吸收光谱 | 第62-64页 |
| ·电泳沉积法制备稀土酞菁纳米薄膜 | 第64-75页 |
| ·稀土酞菁的电泳沉积过程 | 第64-65页 |
| ·溶液的配制 | 第64页 |
| ·电极的清洗 | 第64-65页 |
| ·电泳沉积 | 第65页 |
| ·稀土酞菁纳米薄膜形貌表征及影响因素 | 第65-69页 |
| ·沉积时间的影响 | 第65-66页 |
| ·电场强度的影响 | 第66-67页 |
| ·退火处理的影响 | 第67-69页 |
| ·稀土酞菁薄膜的生长机理 | 第69-70页 |
| ·酞菁纳米薄膜光敏性研究 | 第70-73页 |
| ·稀土酞菁薄膜的结晶性能 | 第73-75页 |
| ·电泳沉积法制备PPD纳米薄膜 | 第75-78页 |
| ·PPD的电泳沉积过程 | 第75-76页 |
| ·PPD纳米薄膜的形貌表征 | 第76-77页 |
| ·PPD纳米薄膜的光敏性研究 | 第77-78页 |
| ·电泳沉积法制备稀土酞菁/PPD异质结纳米复合薄膜 | 第78-84页 |
| ·稀土酞菁/PPD纳米复合薄膜的电泳沉积过程 | 第78页 |
| ·稀土酞菁/PPD纳米复合薄膜的表征 | 第78-84页 |
| ·形貌表征 | 第78-81页 |
| ·UV-vis吸收光谱 | 第81页 |
| ·XRD衍射分析 | 第81-82页 |
| ·光电性能研究 | 第82-84页 |
| ·本章结论 | 第84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 第四章 模板法制备酞菁/PPD纳米线阵列及其光电性能研究 | 第88-115页 |
| ·一步和两步阳极氧化法制备高度有序的多孔氧化铝(AAO)模板 | 第89-94页 |
| ·高纯铝片的预处理 | 第89-90页 |
| ·铝片的氧化 | 第90-93页 |
| ·AAO膜的通孔 | 第93-94页 |
| ·有机纳米线阵列的制备与性能研究 | 第94-106页 |
| ·PPD纳米线阵列的制备与性能研究 | 第94-103页 |
| ·PPD纳米线阵列的制备 | 第95-96页 |
| ·薄膜形貌与制备工艺的关系 | 第96-101页 |
| ·PPD纳米线阵列的光电导性能 | 第101-103页 |
| ·酞菁类纳米线阵列的制备与性能研究 | 第103-106页 |
| ·酞菁类纳米线阵列的制备 | 第103页 |
| ·酞菁类纳米线阵列的表征 | 第103-106页 |
| ·酞菁/PPD异质结纳米有序复合材料的制备与性能 | 第106-111页 |
| ·酞菁/PPD异质结纳米有序复合结构的制备 | 第106-107页 |
| ·酞菁/PPD异质结纳米有序复合结构的表征 | 第107-109页 |
| ·酞菁/PPD异质结纳米有序复合结构的光电性能 | 第109-111页 |
| ·本章结论 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-115页 |
| 第五章 模板法制备高度有序的C_(60)纳米阵列及其光电性能研究 | 第115-137页 |
| ·电泳沉积法制备C_(60)纳米阵列 | 第115-120页 |
| ·电泳沉积制备C_(60)纳米线阵列 | 第116页 |
| ·电泳溶液的配制 | 第116页 |
| ·电泳沉积过程 | 第116页 |
| ·C_(60)纳米线阵列的表征 | 第116-120页 |
| ·高度有序的C_(60)纳米线阵列结构 | 第116-117页 |
| ·C_(60)纳米线的柔韧性 | 第117-118页 |
| ·沉积电压对C_(60)纳米线形貌的影响 | 第118-119页 |
| ·电场下C_(60)纳米线的弯曲行为 | 第119-120页 |
| ·电泳沉积法制备C_(60)纳米管阵列 | 第120-121页 |
| ·模板表面润湿法制备C_(60)纳米线阵列 | 第121-128页 |
| ·模板表面润湿法制备C_(60)纳米线阵列 | 第121-122页 |
| ·溶液的配制 | 第121页 |
| ·模板表面润湿过程 | 第121-122页 |
| ·C_(60)纳米阵列的表征 | 第122-127页 |
| ·形貌表征 | 第122-125页 |
| ·UV-vis吸收光谱 | 第125-126页 |
| ·晶体结构 | 第126-127页 |
| ·生长过程 | 第127-128页 |
| ·C_(60)纳米线阵列的光电性能研究 | 第128-131页 |
| ·C_(60)纳米线阵列双层光导体的制备 | 第128-129页 |
| ·光电导性能表征 | 第129-131页 |
| ·本章结论 | 第131页 |
| 参考文献 | 第131-137页 |
| 第六章 主要结论与创新点 | 第137-139页 |
| 主要结论 | 第137-138页 |
| 创新点 | 第138-139页 |
| 附录 | 第139-142页 |
| 作者简介 | 第142页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第142-146页 |
| 致谢 | 第146-148页 |
