| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| ·硅基发光材料研究的兴起 | 第10-11页 |
| ·Si 纳米晶研究的兴起 | 第11-13页 |
| ·Si 纳米晶基础研究的现状 | 第13-24页 |
| ·Si 纳米晶的制备方法 | 第13页 |
| ·化学法制备 Si 纳米晶 | 第13页 |
| ·物理法制备 Si 纳米晶 | 第13页 |
| ·Si 纳米晶的全谱发光 | 第13-15页 |
| ·Si 纳米晶体系的发光机理 | 第15-16页 |
| ·发光 Si 纳米晶研究的热点及现存问题 | 第16-24页 |
| ·改变晶体结构实现 Si 纳米晶发光效率的提高 | 第16-19页 |
| ·表面钝化提高 Si 纳米晶的发光强度和发光稳定性 | 第19-20页 |
| ·通过 Si 纳米晶有序分布实现整体均匀的发光 | 第20-24页 |
| ·本课题工作设想的提出及研究内容 | 第24-32页 |
| ·偏压溅射制备fcc-Si 纳米晶来提高发光效率 | 第24-26页 |
| ·硅-银键钝化提高 PS 发光强度和发光稳定性 | 第26-27页 |
| ·Monte Carlo 模拟 Si 纳米晶在应变场作用下的分布 | 第27-29页 |
| ·偏压溅射制备超高密度 Si 纳米晶 | 第29-32页 |
| ·本课题的主要创新点 | 第32-33页 |
| 第二章 试验原料和试验装置 | 第33-37页 |
| ·试验原料及所用试剂 | 第33-34页 |
| ·Si 片 | 第33页 |
| ·化学试剂 | 第33页 |
| ·溅射靶材 | 第33页 |
| ·气体 | 第33-34页 |
| ·试验装置 | 第34-37页 |
| ·样品制备装置 | 第34-35页 |
| ·磁控溅射装置 | 第34页 |
| ·电化学刻蚀槽及电化学沉积槽 | 第34-35页 |
| ·管式退火炉 | 第35页 |
| ·样品表征设备 | 第35-37页 |
| ·荧光分光光度计 | 第35页 |
| ·扫描电镜及能谱仪 | 第35页 |
| ·红外光谱仪 | 第35页 |
| ·光电子能谱仪 | 第35页 |
| ·场发射透射电镜 | 第35-36页 |
| ·紫外-可见分光光度计 | 第36-37页 |
| 第三章 fcc-Si 纳米晶的制备及其发光性能研究 | 第37-64页 |
| ·偏压溅射法制备fcc-Si 纳米晶 | 第37-45页 |
| ·制备工艺 | 第37-38页 |
| ·试验结果及讨论 | 第38-45页 |
| ·Si 纳米晶及其晶体结构的确认 | 第38-41页 |
| ·fcc-Si 纳米晶形成机理 | 第41-44页 |
| ·镶嵌有fcc-Si 纳米晶薄膜的发光机理 | 第44-45页 |
| ·fcc-Si 纳米晶发光机理及其发光效率的研究 | 第45-63页 |
| ·具有不同晶体结构 Si 纳米晶的制备 | 第46页 |
| ·对比样品的确定 | 第46-49页 |
| ·对比样品的发光机理分析 | 第49-60页 |
| ·晶体结构及其平均粒径对比 | 第49-51页 |
| ·带隙计算 | 第51页 |
| ·吸收性能对比确定带隙特征 | 第51-57页 |
| ·氧化试验 | 第57-59页 |
| ·发光模型的确定 | 第59-60页 |
| ·样品发光效率对比 | 第60-62页 |
| ·定性分析 | 第60-61页 |
| ·定量确定 | 第61-62页 |
| ·其它样品分析 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 PS 表面 Si-Ag 键钝化研究 | 第64-73页 |
| ·制备工艺 | 第64页 |
| ·试验结果与讨论 | 第64-71页 |
| ·PL 性能对比 | 第64-65页 |
| ·截面形貌及成分对比 | 第65-67页 |
| ·表面价键对比 | 第67页 |
| ·Si-Ag 键的确定 | 第67-71页 |
| ·表面 Si-Ag 键钝化 PS 的发光机理 | 第71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 实现 Si 纳米晶有序分布的探索 | 第73-87页 |
| ·Monte Carlo 方法模拟应变场作用下 Si 原子在非晶 SiO_2 隔离层上的分布 | 第73-80页 |
| ·Monte Carlo 方法及 Metropolis 算法简述 | 第73-75页 |
| ·物理模型的建立 | 第75-76页 |
| ·算法设计 | 第76-77页 |
| ·宏观特征值及能量表达式 | 第77-78页 |
| ·宏观特征值的选取 | 第77页 |
| ·能量表达式 | 第77-78页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第78-80页 |
| ·偏压共溅射法制备超高密度 Si 纳米晶 | 第80-86页 |
| ·制备工艺 | 第81-82页 |
| ·偏压溅射工艺 | 第81页 |
| ·退火工艺 | 第81-82页 |
| ·试验结果与讨论 | 第82-86页 |
| ·Si 纳米晶的确定 | 第82-83页 |
| ·超高面密度及有序分布 | 第83-85页 |
| ·高密度 Si 纳米晶的发光性能 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第六章 全文结论及研究展望 | 第87-89页 |
| ·全文结论 | 第87页 |
| ·研究展望 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-107页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109页 |
