| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 前言 | 第11-12页 |
| 第一章 文献综述 | 第12-30页 |
| ·国内外多晶硅的发展状况 | 第12-17页 |
| ·世界多晶硅发展概况 | 第12页 |
| ·我国多晶硅技术的研究状况 | 第12-13页 |
| ·世界和中国多晶硅技术的比较 | 第13-14页 |
| ·硅材料生产新工艺 | 第14-17页 |
| ·化工过程模拟与优化 | 第17-21页 |
| ·化工过程模拟 | 第17-19页 |
| ·化工过程优化 | 第19-20页 |
| ·化工模拟优化的实际应用 | 第20-21页 |
| ·多组分分离过程的设计 | 第21-28页 |
| ·混合物的种类 | 第21-22页 |
| ·分离过程及其种类 | 第22-23页 |
| ·分离过程综合 | 第23-28页 |
| ·本文主要研究内容 | 第28-30页 |
| 第二章 SiHCl_3氢化反应过程的热力学分析 | 第30-44页 |
| ·引言 | 第30-33页 |
| ·主要的多晶硅生产技术选择 | 第30-32页 |
| ·Gibbs 自由能最小法 | 第32-33页 |
| ·本章研究内容 | 第33页 |
| ·SiHCl_3 氢化反应体系 | 第33-37页 |
| ·SiHCl_3 氢化反应体系 | 第33-34页 |
| ·温度和进料比例的影响 | 第34-36页 |
| ·压力和进料比例的影响 | 第36-37页 |
| ·无副产物SiCl_4 生成的SiHCl_3 氢化反应的热力学分析 | 第37-42页 |
| ·无SiCl_4 生成的SiHCl_3 氢化反应新工艺 | 第38页 |
| ·温度和进料对无SiCl_4 生成的SiHCl_3 氢化工艺的影响 | 第38-40页 |
| ·压力和进料对无SiCl_4 生成的SiHCl_3 氢化工艺的影响 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 SiCl_4氢化反应过程的热力学分析 | 第44-56页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·SiCl_4 转化体系 | 第44-50页 |
| ·SiCl_4 氢化反应的理论基础 | 第44-46页 |
| ·直接氢化反应体系 | 第46-47页 |
| ·硅做添加剂氢化反应体系 | 第47-49页 |
| ·两个体系的比较 | 第49-50页 |
| ·超高温下SiCl_4 氢化生产多晶硅 | 第50-54页 |
| ·温度和进料比例的影响 | 第50-52页 |
| ·压力和进料比例的影响 | 第52-54页 |
| ·与文献结果对比 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 多晶硅生产中尾气分离系统的优化设计 | 第56-63页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·多晶硅生产中尾气分离系统的分段优化设计 | 第57-62页 |
| ·分段设计方法的概念 | 第57-58页 |
| ·系统模型 | 第58-59页 |
| ·优化设计的方法 | 第59页 |
| ·设计结果 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
