| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·研究背景 | 第11-14页 |
| ·论文内容安排及主要工作 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 GaN/AlGaN 异质结的光学性质 | 第19-26页 |
| ·光致发光光谱介绍 | 第19-20页 |
| ·发光光谱的试验仪器 | 第20-21页 |
| ·样品的介绍 | 第21-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第三章 GaN/AlGaN 双带红外探测器研究 | 第26-52页 |
| ·红外探测器研究进展 | 第26-28页 |
| ·GaN/AlGaN HEIWIP 双带探测器结构 | 第28页 |
| ·GaN/AlGaN HEIWIP 双带探测响应谱拟合方法 | 第28-39页 |
| ·GaN 和AlGaN 复介电函数 | 第28-29页 |
| ·传递矩阵方法 | 第29-32页 |
| ·GaN/AlGaN HEIWIP 中红外探测机制 | 第32页 |
| ·GaN/AlGaN HEIWIP 中红外探测过程理论模型 | 第32-39页 |
| ·单周期GaN/AlGaN HEIWIP 响应谱 | 第39-41页 |
| ·单周期GaN/AlGaN HEIWIP 中红外响应谱拟合 | 第39-40页 |
| ·单周期GaN/AlGaN HEIWIP 远红外响应谱拟合 | 第40-41页 |
| ·多周期GaN/AlGaN HEIWIP 性能 | 第41-47页 |
| ·多周期GaN/AlGaN HEIWIP 中碰撞离子化 | 第41-44页 |
| ·多周期GaN/AlGaN HEIWIP 光谱响应 | 第44-45页 |
| ·多周期GaN/AlGaN HEIWIP 暗电流 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 第四章 红外上转换成像器件 | 第52-69页 |
| ·光子频率上转换 | 第52-54页 |
| ·Si CCD | 第54-55页 |
| ·近红外上转换成像 | 第55-59页 |
| ·中红外上转换成像 | 第59-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 第五章 HEIWIP-LED 中/远红外双带上转换成像优化 | 第69-84页 |
| ·GaN/AlGaN HEIWIP-LED 结构 | 第69-71页 |
| ·GaN/AlGaN HEIWIP 连续性方程 | 第71-74页 |
| ·LED 中光子循环过程 | 第74-75页 |
| ·GaN/AlGaN LED 电子扩散方程 | 第75-77页 |
| ·GaN/AlGaN HEIWIP-LED 成像效率 | 第77-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 附录 | 第84-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 完成论文目录 | 第88-91页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第91页 |
