| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·NIO 材料的基本性质 | 第9-10页 |
| ·NiO 的晶体结构 | 第9-10页 |
| ·NiO 材料的特性 | 第10页 |
| ·NIO 材料的主要应用 | 第10-12页 |
| ·气敏传感器 | 第10-11页 |
| ·超级电容器 | 第11页 |
| ·半导体光电器件 | 第11-12页 |
| ·NIO 薄膜在半导体及光电方面的研究进展 | 第12-14页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 薄膜的制备及表征方法 | 第16-27页 |
| ·薄膜的几种主要制备方法 | 第16-18页 |
| ·分子束外延技术（MBE） | 第16页 |
| ·脉冲激光沉积技术(PLD) | 第16-17页 |
| ·金属有机物化学气相淀积技术（MOCVD） | 第17-18页 |
| ·射频磁控溅射的基本原理及特点 | 第18-20页 |
| ·射频磁控溅射的基本原理 | 第18-20页 |
| ·射频磁控溅射的特点 | 第20页 |
| ·磁控溅射法制备 NIO 薄膜 | 第20-22页 |
| ·设备简述 | 第20-21页 |
| ·样品制备 | 第21-22页 |
| ·薄膜及器件的表征技术 | 第22-27页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第23-24页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第24-25页 |
| ·紫外-可见分光光度计（UV） | 第25-26页 |
| ·霍尔效应（Hall） | 第26-27页 |
| 第三章 制备工艺对薄膜性能的影响 | 第27-45页 |
| ·溅射功率对 NIO 薄膜性质的影响 | 第27-33页 |
| ·溅射功率对 NiO 薄膜结构的影响 | 第28-29页 |
| ·溅射功率对 NiO 薄膜表面形貌的影响 | 第29-30页 |
| ·溅射功率对 NiO 薄膜光学透过率的影响 | 第30-31页 |
| ·溅射功率对 NiO 薄膜禁带宽度的影响 | 第31-32页 |
| ·溅射功率对 NiO 薄膜电学特性的影响 | 第32-33页 |
| ·氧氩比对 NIO 薄膜性质的影响 | 第33-37页 |
| ·氧氩比对 NiO 薄膜结构的影响 | 第33-34页 |
| ·氧氩比对 NiO 薄膜表面形貌的影响 | 第34-35页 |
| ·氧氩比对 NiO 薄膜光学透过率的影响 | 第35-36页 |
| ·氧氩比对 NiO 薄膜禁带宽度的影响 | 第36-37页 |
| ·氧氩比对 NiO 薄膜电学特性的影响 | 第37页 |
| ·衬底温度对 NIO 薄膜性质的影响 | 第37-43页 |
| ·衬底温度对 NiO 薄膜结构的影响 | 第38-39页 |
| ·衬底温度对 NiO 薄膜表面形貌的影响 | 第39-40页 |
| ·衬底温度对 NiO 薄膜光学透过率的影响 | 第40-41页 |
| ·衬底温度对 NiO 薄膜禁带宽度的影响 | 第41-42页 |
| ·衬底温度对 NiO 薄膜电学特性的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 NIO 相关器件 | 第45-52页 |
| ·N-GAN/AL2O3衬底上发光器件的制备 | 第45-47页 |
| ·p-NiO/n-GaN 异质结器件制备的具体工艺流程 | 第45-46页 |
| ·器件电学性质的测试 | 第46-47页 |
| ·P-SI 衬底上发光器件的制备 | 第47-50页 |
| ·p-NiO/n-ZnO 异质结器件的具体工艺流程 | 第48-49页 |
| ·器件电学性质的测试 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58-59页 |
| 一、发表论文 | 第58页 |
| 二、参加会议 | 第58页 |
| 三、作者简介 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |