| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 第一章 自旋电子学的发展 | 第10-16页 |
| ·自旋电子学的发展史 | 第10-12页 |
| ·稀磁半导体的研究进展 | 第12-13页 |
| ·磁性隧道结自旋隧穿输运的研究情况 | 第13-16页 |
| ·铁磁体(FM)/非磁金属(NM)/绝缘体(I)/非磁金属(NM)/铁磁体(FM)结构磁性隧道结 | 第13-14页 |
| ·磁性双隧道结 | 第14-16页 |
| 第二章 理论模型和公式计算 | 第16-23页 |
| ·理论模型 | 第16-17页 |
| ·公式计算 | 第17-23页 |
| 第三章 计算结果与分析 | 第23-32页 |
| ·Rashba 自旋轨道耦合强度对输运性质的影响 | 第23-25页 |
| ·铁磁半导体区域与左铁磁区域磁化方向平行情况 | 第24页 |
| ·铁磁半导体区域与左铁磁区域磁化方向反平行情况 | 第24-25页 |
| ·FM/I/FS/I/FM 结构与FM/I/S/I/FM 结构的TMR 比较 | 第25页 |
| ·绝缘层厚度对输运性质的影响 | 第25-28页 |
| ·左右两侧绝缘层厚度相同（d_1=d_2 = d ）时 | 第25-27页 |
| ·仅左侧绝缘层厚度变化时的情况 | 第27页 |
| ·仅右侧绝缘层厚度变化时的情况 | 第27-28页 |
| ·铁磁半导体层厚度对输运性质的影响 | 第28-29页 |
| ·铁磁半导体层交换劈裂能对输运性质的影响 | 第29-30页 |
| ·绝缘势垒对输运性质的影响 | 第30-32页 |
| 第四章 结论 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-38页 |
| 致谢 | 第38页 |
