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过渡金属与F共掺杂ZnO体系的第一性原理研究

摘要第5-7页
abstract第7-8页
第1章 绪论第12-20页
    1.1 引言第12页
    1.2 ZnO半导体的基本性质第12-15页
        1.2.1 ZnO的晶体结构第12-13页
        1.2.2 ZnO的晶格参数第13页
        1.2.3 ZnO半导体的光电性质第13-14页
        1.2.4 ZnO中的本征缺陷第14-15页
    1.3 ZnO半导体的掺杂第15-17页
        1.3.1 ZnO的n型掺杂第15页
        1.3.2 ZnO的p型掺杂第15-17页
    1.4 ZnO材料的应用第17页
        1.4.1 ZnO材料光性能的应用第17页
        1.4.2 ZnO材料半导体性能的应用第17页
    1.5 国内外研究进展第17-18页
    1.6 本论文主要研究内容第18-20页
第2章 第一性原理计算方法第20-27页
    2.1 第一性原理和能带理论第20-22页
        2.1.1 第一性原理第20-21页
        2.1.2 能带理论第21-22页
    2.2 密度泛函理论第22-23页
        2.2.1 Hohenberg-Kohn定理第22页
        2.2.2 Kohn-Sham方程第22-23页
    2.3 交换关联泛函第23-24页
        2.3.1 局域密度近似第23-24页
        2.3.2 广义梯度近似第24页
    2.4 平面波赝势方法第24-25页
        2.4.1 平面波方法第25页
        2.4.2 赝势第25页
    2.5 强关联体系和Hubbard模型第25-26页
    2.6 本章小结第26-27页
第3章 CASTEP模块介绍第27-35页
    3.1 CASTEP模块应用的计算方法第27-29页
        3.1.1 构建超晶胞方法第27页
        3.1.2 自洽电子弛豫方法第27-28页
        3.1.3 快速傅立叶变换第28-29页
    3.2 CASTEP模块操作方法第29-34页
        3.2.1 Visualizer模块的结构设置第29页
        3.2.2 计算任务的设置第29-34页
    3.3 CASTEP软件的主要功能第34页
    3.4 本章小结第34-35页
第4章 Cu与F掺杂ZnO的电子结构及光学性质研究第35-46页
    4.1 引言第35页
    4.2 模型建立和计算方法第35-37页
        4.2.1 模型建立第35-36页
        4.2.2 计算方法第36-37页
    4.3 计算结果与分析第37-44页
        4.3.1 结构优化第37-38页
        4.3.2 布居值和键长分析第38页
        4.3.3 本征ZnO的电子结构分析第38-40页
        4.3.4 Cu与F共掺杂ZnO的能带结构和电子结构分析第40-42页
        4.3.5 Cu与F共掺杂ZnO的光学性质分析第42-44页
    4.4 本章小结第44-46页
第5章 过渡金属与F掺杂ZnO的电子结构、光学性质及磁稳定性研究第46-62页
    5.1 引言第46页
    5.2 Mn与 F掺杂ZnO的模型建立、计算方法和结果分析第46-51页
        5.2.1 模型建立和计算方法第46-47页
        5.2.2 计算结果分析第47-51页
    5.3 CO与 F掺杂ZnO的模型建立、计算方法和结果分析第51-55页
        5.3.1 模型建立和计算方法第51页
        5.3.2 计算结果分析第51-55页
    5.4 Ni与 F掺杂ZnO的模型建立、计算方法和结果分析第55-59页
        5.4.1 模型建立和计算方法第55页
        5.4.2 计算结果分析第55-59页
    5.5 Mn、Cu与 F共掺杂ZnO的磁稳定性研究第59-60页
        5.5.1 模型建立和计算方法第59-60页
        5.5.2 共掺杂ZnO的磁稳定性分析第60页
    5.6 本章小结第60-62页
结论第62-64页
参考文献第64-69页
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果第69-71页
致谢第71页

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