| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-36页 |
| ·纳米材料的典型特性 | 第15-17页 |
| ·量子尺寸效应 | 第15-16页 |
| ·小尺寸效应 | 第16页 |
| ·表面效应 | 第16页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第16-17页 |
| ·半导体纳米晶的重要成员——IV-VI族半导体纳米晶 | 第17-22页 |
| ·IV-VI 族半导体纳米晶的发展史 | 第18-20页 |
| ·IV-VI 族半导体纳米晶的应用 | 第20-22页 |
| ·纳米材料的自组装——超晶格结构 | 第22-30页 |
| ·超晶格结构的发展史 | 第23-27页 |
| ·超晶格结构形成的理论 | 第27-28页 |
| ·超晶格结构的制备方法 | 第28-30页 |
| ·半导体PbSe 纳米晶的稳定性及其摩尔消光系数 | 第30-32页 |
| ·PbSe 纳米晶的稳定性 | 第30-31页 |
| ·PbSe 纳米晶的摩尔消光系数 | 第31-32页 |
| ·IV-VI族半导体纳米晶的高压研究 | 第32-33页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第33-36页 |
| 第二章 纳米粒子超晶格结构的制备及形成机制 | 第36-58页 |
| ·合成设备、表征仪器和原料 | 第36-38页 |
| ·合成设备 | 第36页 |
| ·表征仪器 | 第36页 |
| ·原料 | 第36-38页 |
| ·PbSe 纳米粒子超晶格结构的制备及表征 | 第38-46页 |
| ·利用希莱克系统在三颈瓶中合成PbSe 纳米粒子 | 第38页 |
| ·利用烘箱在反应釜内合成PbSe 纳米粒子 | 第38页 |
| ·样品的清洗 | 第38页 |
| ·实验结果 | 第38-46页 |
| ·分析和讨论 | 第46-57页 |
| ·超晶格结构形成的原因 | 第46-52页 |
| ·分子动力学模拟 | 第52-57页 |
| ·本章 小结 | 第57-58页 |
| 第三章 简单自组装出尺寸形貌可调的IV-VI 半导体纳米晶超晶格结构 | 第58-76页 |
| ·实验过程 | 第60-61页 |
| ·制备6.0 -21.0 nm 的PbSe 纳米粒子 | 第60页 |
| ·制备9.0 -16.0 nm 的PbTe 纳米粒子 | 第60页 |
| ·制备10.0-16.0 nm 的PbS 纳米粒子 | 第60-61页 |
| ·结果与讨论 | 第61-66页 |
| ·IV-VI 族纳米粒子超晶格图案分析 | 第66-74页 |
| ·球形和有小面的IV-VI 纳米粒子超晶格结构 | 第66-70页 |
| ·准立方体和立方体形貌的IV-VI 纳米粒子超晶格结构 | 第70-74页 |
| ·IV-VI 族纳米粒子超晶格结构的形成机理 | 第74-75页 |
| ·本章 小结 | 第75-76页 |
| 第四章 简单方法制备出PbS 纳米花及它们的形貌可调的空心纳米结构：形态演化过程 | 第76-92页 |
| ·实验部分 | 第77-78页 |
| ·合成PbS 纳米花 | 第77页 |
| ·制备PbS 空心纳米结构 | 第77-78页 |
| ·结果与讨论 | 第78-87页 |
| ·PbS 纳米花 | 第78-81页 |
| ·PbS 空心纳米结构 | 第81-84页 |
| ·形貌的演变及原因 | 第84-87页 |
| ·其它结果及讨论 | 第87-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 第五章 半导体PbSe 纳米晶的性质研究 | 第92-112页 |
| ·半导体PbSe 纳米晶不稳定性的研究 | 第92-99页 |
| ·实验部分 | 第92-93页 |
| ·结果与讨论 | 第93-99页 |
| ·小结 | 第99页 |
| ·半导体PbSe 纳米晶的尺寸依赖成分及其摩尔消光系数 | 第99-109页 |
| ·实验部分 | 第101-102页 |
| ·结果与讨论 | 第102-109页 |
| ·小结 | 第109页 |
| ·半导体 PbSe 纳米晶高压下的性质研究 | 第109-112页 |
| 第六章 结论 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-122页 |
| 攻读博士学位期间发表的文章 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 作者简历 | 第126页 |
