| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 紫外探测器概述 | 第8-12页 |
| 1.1.1 紫外探测器的工作原理 | 第8-10页 |
| 1.1.2 紫外探测器性能参数 | 第10-11页 |
| 1.1.3 提高紫外探测性能的方法 | 第11-12页 |
| 1.2 铁电调控在光电探测器中的应用 | 第12-15页 |
| 1.3 铁电调控在增强紫外探测器光响应中所面临的问题 | 第15-16页 |
| 1.4 选题思路 | 第16-19页 |
| 1.5 研究内容及创新点 | 第19-21页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第19-20页 |
| 1.5.2 创新点 | 第20-21页 |
| 第二章 ZnO微米线和BaTiO_3薄膜的制备及表征 | 第21-33页 |
| 2.1 ZnO微米线的制备及表征 | 第21-25页 |
| 2.1.1 ZnO微米线的制备及结构表征 | 第21-23页 |
| 2.1.2 ZnO微米线场效应管 | 第23-25页 |
| 2.2 BaTiO_3薄膜的制备及表征 | 第25-32页 |
| 2.2.1 BaTiO_3薄膜的制备及结构表征 | 第25-28页 |
| 2.2.2 PFM和KPFM表征BaTiO_3薄膜的电畴 | 第28-32页 |
| 2.3 小结 | 第32-33页 |
| 第三章 BaTiO_3薄膜提高ZnO欧姆器件的开关比 | 第33-43页 |
| 3.1 欧姆器件的设计与制作 | 第33-35页 |
| 3.2 BaTiO_3薄膜对ZnO欧姆器件开关比的影响 | 第35-41页 |
| 3.2.1 ZnO欧姆器件的开关比测试 | 第35-38页 |
| 3.2.2 BaTiO_3薄膜提高ZnO欧姆器件开关比的工作原理 | 第38-39页 |
| 3.2.3 ZnO欧姆器件的稳定性测试 | 第39-41页 |
| 3.3 小结 | 第41-43页 |
| 第四章 BaTiO_3薄膜提高ZnO单向肖特基器件的开关比 | 第43-50页 |
| 4.1 单向肖特基器件的设计与制作 | 第43-45页 |
| 4.2 BaTiO_3薄膜对ZnO单向肖特基器件开关比的影响 | 第45-49页 |
| 4.2.1 ZnO单向肖特基器件的开关比测试 | 第45-47页 |
| 4.2.2 BaTiO_3薄膜提高ZnO单向肖特基器件开关比的工作原理 | 第47-48页 |
| 4.2.3 ZnO单向肖特基器件的稳定性测试 | 第48-49页 |
| 4.3 小结 | 第49-50页 |
| 第五章 结论与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 结论 | 第50-51页 |
| 5.2 展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 在学期间的研究成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
