摘要 | 第3-4页 |
abstract | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第9-23页 |
1.1 光催化的研究概括 | 第9页 |
1.2 半导体材料 | 第9-10页 |
1.3 半导体光催化剂材料 | 第10-11页 |
1.4 g-C_3N_4 概述 | 第11-19页 |
1.4.1 g-C_3N_4 的发展简介 | 第11-12页 |
1.4.2 g-C_3N_4 的结构 | 第12页 |
1.4.3 g-C_3N_4的合成方法 | 第12-13页 |
1.4.4 g-C_3N_4 的改性 | 第13-19页 |
1.5 g-C_3N_4 的应用 | 第19-20页 |
1.5.1 光催化降解有机染料 | 第19页 |
1.5.2 光催化产氢 | 第19-20页 |
1.6 论文选题思路及主要研究内容 | 第20-23页 |
第2章 多孔管g-C_3N_4 合成及其光催化性能研究 | 第23-43页 |
2.1 实验部分 | 第23-26页 |
2.1.1 药品、仪器与设备 | 第23-24页 |
2.1.2 材料制备 | 第24-26页 |
2.2 结构表征和成分分析 | 第26-28页 |
2.2.1 X-射线衍射(XRD)分析 | 第26页 |
2.2.2 透射电镜(TEM)和能谱(EDS)分析 | 第26页 |
2.2.3 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第26页 |
2.2.4 X射线光电子能谱仪(XPS)分析 | 第26页 |
2.2.5 N_2 吸附和解吸等温线 | 第26页 |
2.2.6 拉曼光谱分析 | 第26-27页 |
2.2.7 稳态荧光光谱分析 | 第27页 |
2.2.8 电化学测量 | 第27页 |
2.2.9 各种光催化剂材料对罗丹明B降解的研究 | 第27-28页 |
2.3 结果与讨论 | 第28-40页 |
2.3.1 光催化材料的表征分析 | 第28-34页 |
2.3.2 光催化活性测定 | 第34-37页 |
2.3.3 活性物质捕获试验 | 第37-38页 |
2.3.4 可能的光催化机理 | 第38-39页 |
2.3.5 荧光分析和电化学阻抗谱(EIS) | 第39页 |
2.3.6 循环稳定性 | 第39-40页 |
2.4 本章小结 | 第40-43页 |
第3章 蒲公英状g-C_3N_4/Ag/BSA的合成及其光催化性能研究 | 第43-59页 |
3.1 实验部分 | 第43-45页 |
3.1.1 药品、仪器与设备 | 第43-44页 |
3.1.2 材料制备 | 第44-45页 |
3.2 结构表征和成分分析 | 第45-47页 |
3.2.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第45页 |
3.2.2 傅立叶红外光谱(FTIR)分析 | 第45页 |
3.2.3 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第45页 |
3.2.4 拉曼光谱分析 | 第45页 |
3.2.5 N_2 吸附和解吸等温线测试 | 第45-46页 |
3.2.6 透射电镜(TEM)分析 | 第46页 |
3.2.7 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第46页 |
3.2.8 光催化水分解产氢实验 | 第46-47页 |
3.3 结果与讨论 | 第47-56页 |
3.3.1 光催化剂的表征分析 | 第47-53页 |
3.3.2 光催化活性研究 | 第53-55页 |
3.3.3 光催化剂的荧光分析 | 第55页 |
3.3.4 光催化产氢机理 | 第55-56页 |
3.4 本章小结 | 第56-59页 |
第4章 g-C_3N_4/Ni/NiO材料的光催化性能研究 | 第59-71页 |
4.1 实验部分 | 第59-60页 |
4.1.1 药品、仪器与设备 | 第59-60页 |
4.1.2 材料制备 | 第60页 |
4.2 结构表征和成分分析 | 第60-62页 |
4.2.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第60页 |
4.2.2 X射线光电子能谱仪(XPS)分析 | 第60-61页 |
4.2.3 傅立叶红外光谱(FTIR)分析 | 第61页 |
4.2.4 N_2 吸附和解吸等温线测试 | 第61页 |
4.2.5 稳态荧光光谱分析 | 第61页 |
4.2.6 各种光催化材料对罗丹明B降解的研究 | 第61-62页 |
4.3 结果与讨论 | 第62-68页 |
4.3.1 光催化剂的表征分析 | 第62-65页 |
4.3.2 光催化活性测定 | 第65-66页 |
4.3.3 活性物种捕获试验 | 第66-67页 |
4.3.4 光催化剂的荧光分析 | 第67-68页 |
4.3.5 光催化降解机理 | 第68页 |
4.4 本章小结 | 第68-71页 |
第5章 结论 | 第71-73页 |
参考文献 | 第73-83页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第83-85页 |
致谢 | 第85页 |