| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 前言 | 第13-28页 |
| 1.1 热电效应简介 | 第13-14页 |
| 1.2 热电性能参数与优化方法 | 第14-19页 |
| 1.2.1 提高电导率 | 第14-16页 |
| 1.2.2 提高Seebeck系数 | 第16-17页 |
| 1.2.3 降低热导率 | 第17-19页 |
| 1.3 SnSe_2新型热电材料 | 第19-27页 |
| 1.3.1 研究背景 | 第19-20页 |
| 1.3.2 SnSe_2热电材料 | 第20-27页 |
| 1.4 本论文的选题目的和主要研究内容 | 第27-28页 |
| 第2章 实验方法与实验设备 | 第28-37页 |
| 2.1 实验方法 | 第28-29页 |
| 2.2 实验原料 | 第29-30页 |
| 2.3 材料制备及加工设备 | 第30-32页 |
| 2.3.1 区熔炉 | 第30-31页 |
| 2.3.2 等离子活化烧结设备 | 第31-32页 |
| 2.4 材料成分与微结构表征技术 | 第32-35页 |
| 2.4.1 X射线衍射分析 | 第32页 |
| 2.4.2 XPS光电子能谱分析 | 第32-33页 |
| 2.4.3 UPS紫外光电子能谱分析 | 第33-34页 |
| 2.4.4 电子显微分析 | 第34-35页 |
| 2.5 材料电-热输运表征 | 第35-37页 |
| 2.5.1 电导率和Seebeck测试 | 第35页 |
| 2.5.2 Hall系数测试 | 第35-36页 |
| 2.5.3 热导率测试 | 第36-37页 |
| 第3章 制备工艺对SnSe_(2+x)相组成及微结构的影响 | 第37-52页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 一步PAS烧结制备SnSe_2工艺探索 | 第37-39页 |
| 3.2.1 相组成 | 第38-39页 |
| 3.2.2 微结构 | 第39页 |
| 3.3 熔融-缓冷以及退火对SnSe_(2+x)相组成及微结构的影响 | 第39-45页 |
| 3.3.1 相组成 | 第41页 |
| 3.3.2 微结构 | 第41-43页 |
| 3.3.3 退火工艺 | 第43-45页 |
| 3.4 熔融-淬火对SnSe_(2+x)相组成及微结构的影响 | 第45-47页 |
| 3.5 区熔法制备SnSe_2 | 第47-51页 |
| 3.5.1 相组成 | 第48-50页 |
| 3.5.2 微结构 | 第50-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 类单晶SnSe_(2-x)Clx的制备及其热电性能研究 | 第52-65页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 实验方法 | 第52页 |
| 4.3 区熔速度对SnSe_2热电性能的影响 | 第52-56页 |
| 4.3.1 相组成以及微结构 | 第53-54页 |
| 4.3.2 电性能 | 第54-55页 |
| 4.3.3 热性能 | 第55-56页 |
| 4.3.4 热电优值ZT | 第56页 |
| 4.4 Cl含量对SnSe_(2-x)Clx热电性能的影响 | 第56-64页 |
| 4.4.1 相组成与微结构 | 第57-59页 |
| 4.4.2 电性能 | 第59-62页 |
| 4.4.3 热性能 | 第62-63页 |
| 4.4.4 热电优值ZT | 第63-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第5章 多晶SnSe_(2-x)Clx化合物的热电性能研究 | 第65-83页 |
| 5.1 引言 | 第65页 |
| 5.2 实验方法 | 第65-66页 |
| 5.3 Cl掺杂对SnSe_2/SnSe纳米复合材料热电性能的影响 | 第66-82页 |
| 5.3.1 相组成以及微结构 | 第66-68页 |
| 5.3.2 SnSe存在形式 | 第68-70页 |
| 5.3.3 低温电性能 | 第70-74页 |
| 5.3.4 异质界面SnSe_2/SnSe能带结构 | 第74-76页 |
| 5.3.5 平行于烧结压力方向样品热电性能 | 第76-80页 |
| 5.3.6 垂直于烧结压力方向样品热电性能 | 第80-82页 |
| 5.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 第6章 结论 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-92页 |
| 硕士学位期间发表论文、申请专利和参加会议情况 | 第92-93页 |
| （一）论文发表情况 | 第92页 |
| （二）申请专利情况 | 第92页 |
| （三）参加会议情况 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
