| 摘要 | 第4-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第16-36页 |
| 1.1 半导体纳米材料的简介 | 第16-22页 |
| 1.1.1 半导体材料的定义与分类 | 第16-17页 |
| 1.1.2 纳米电子材料的特性 | 第17-19页 |
| 1.1.3 纳米电子材料的制备 | 第19-21页 |
| 1.1.4 纳米电子材料的应用 | 第21-22页 |
| 1.2 金属硒化物半导体概述 | 第22-33页 |
| 1.2.1 金属硒化物半导体简介 | 第22-24页 |
| 1.2.2 金属硒化物半导体的性质 | 第24-26页 |
| 1.2.3 金属硒化物半导体材料的制备 | 第26-32页 |
| 1.2.4 金属硒化物半导体材料的场致电子发射性能研究现状 | 第32页 |
| 1.2.5 金属硒化物半导体材料在光催化领域的研究现状 | 第32-33页 |
| 1.3 选题依据及主要研究内容 | 第33-36页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第33-34页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第34-35页 |
| 1.3.3 创新点 | 第35-36页 |
| 第二章 石墨烯基纳米复合材料的研究 | 第36-43页 |
| 2.1 石墨烯的结构和性质 | 第36页 |
| 2.2 石墨烯的制备方法 | 第36-40页 |
| 2.2.1 机械剥离法 | 第37页 |
| 2.2.2 化学气相沉积法 | 第37-38页 |
| 2.2.3 SiC外延生长法 | 第38-39页 |
| 2.2.4 氧化石墨还原法 | 第39页 |
| 2.2.5 碳纳米管剪切法 | 第39-40页 |
| 2.3 石墨烯/硒化物纳米复合材料的应用及研究进展 | 第40-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 场致电子发射材料的可控制备与性能研究 | 第43-102页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 场发射的理论基础 | 第43-55页 |
| 3.2.1 场发射的F-N理论基础 | 第45-53页 |
| 3.2.2 影响场发射的因素 | 第53-54页 |
| 3.2.3 场发射评价指标 | 第54-55页 |
| 3.3 场致电子发射测试中可控问题的描述 | 第55-56页 |
| 3.4 ZnSe纳米墙的可控制备及场致电子发射性能研究 | 第56-72页 |
| 3.4.2 实验部分 | 第57-60页 |
| 3.4.2.1 实验药品与试剂 | 第57-58页 |
| 3.4.2.2 实验设备 | 第58页 |
| 3.4.2.3 材料的制备 | 第58-59页 |
| 3.4.2.4 场发射性能测试 | 第59页 |
| 3.4.2.5 材料的表征 | 第59-60页 |
| 3.4.3 结果与讨论 | 第60-69页 |
| 3.4.3.1 ZnSe纳米墙的晶体结构 | 第60-61页 |
| 3.4.3.2 ZnSe纳米墙的元素形态 | 第61-63页 |
| 3.4.3.3 ZnSe纳米墙的微观形貌 | 第63-67页 |
| 3.4.3.4 ZnSe纳米墙的拉曼光谱 | 第67-68页 |
| 3.4.3.5 ZnSe纳米墙的反应机理 | 第68-69页 |
| 3.4.4 ZnSe纳米墙的场致电子发射性能研究 | 第69-72页 |
| 3.5 草状CdSe/氧化石墨烯复合材料的场致电子发射性能研究 | 第72-89页 |
| 3.5.1 实验部分 | 第74-77页 |
| 3.5.1.1 实验药品与试剂 | 第74页 |
| 3.5.1.2 实验仪器 | 第74页 |
| 3.5.1.3 材料的制备 | 第74-76页 |
| 3.5.1.4 场发射性能测试 | 第76页 |
| 3.5.1.5 材料的表征 | 第76-77页 |
| 3.5.2 结果与讨论 | 第77-89页 |
| 3.5.2.1 CdSe纳米草/氧化石墨烯复合材料的晶体结构 | 第77-78页 |
| 3.5.2.2 CdSe纳米草/氧化石墨烯复合材料的元素形态 | 第78-79页 |
| 3.5.2.3 CdSe纳米草/氧化石墨烯复合材料的微观形貌 | 第79-83页 |
| 3.5.2.5 CdSe纳米草/氧化石墨烯复合材料的拉曼光谱 | 第83页 |
| 3.5.2.6 CdSe纳米草/氧化石墨烯复合材料的反应机理 | 第83-84页 |
| 3.5.2.7 CdSe纳米草/氧化石墨烯复合材料的光学性能 | 第84-86页 |
| 3.5.2.8 CdSe纳米草/氧化石墨烯复合材料的场致电子发射性能 | 第86-89页 |
| 3.6 Cu_(2-x)Se纳米草/氧化石墨烯复合材料的可控制备及场致电子发射研究 | 第89-100页 |
| 3.6.1 实验部分 | 第91-94页 |
| 3.6.1.1 实验药品与试剂 | 第91页 |
| 3.6.1.2 实验设备 | 第91-92页 |
| 3.6.1.3 材料的制备 | 第92-93页 |
| 3.6.1.4 场发射性能测试 | 第93页 |
| 3.6.1.5 材料的表征 | 第93-94页 |
| 3.6.2 结果与讨论 | 第94-100页 |
| 3.6.2.1 Cu_(2-x)Se纳米草/氧化石墨烯复合材料的晶体结构 | 第94-95页 |
| 3.6.2.2 Cu_(2-x)Se纳米草/氧化石墨烯复合材料的元素形态 | 第95页 |
| 3.6.2.3 Cu_(2-x)Se纳米草/氧化石墨烯复合材料的微观形貌 | 第95-96页 |
| 3.6.2.4 Cu_(2-x)Se纳米草/氧化石墨烯复合材料的拉曼光谱 | 第96-97页 |
| 3.6.2.5 Cu_(2-x)Se纳米草/氧化石墨烯复合材料的反应机理 | 第97-98页 |
| 3.6.2.6 Cu_(2-x)Se纳米草/氧化石墨烯复合材料的场致电子发射性能 | 第98-100页 |
| 3.7 本章小结 | 第100-102页 |
| 第四章 CdSe纳米球/氧化石墨烯复合材料的可控制备及光电性能检测 | 第102-122页 |
| 4.1 引言 | 第102-103页 |
| 4.2 半导体中光生电子传递的理论基础 | 第103-108页 |
| 4.2.1 复合型半导体光催化材料 | 第105-106页 |
| 4.2.2 金属硒化物/石墨烯复合材料的光电性能研究现状 | 第106-108页 |
| 4.3 光催化测试过程中电子输运问题的描述 | 第108-109页 |
| 4.4 CdSe纳米球/氧化石墨烯复合材料的可控制备及光催化性能研究 | 第109-120页 |
| 4.4.1 实验部分 | 第109-112页 |
| 4.4.1.1 实验药品与试剂 | 第109页 |
| 4.4.1.2 实验仪器 | 第109-110页 |
| 4.4.1.3 材料的制备 | 第110-111页 |
| 4.4.1.4 光催化性能测试 | 第111-112页 |
| 4.4.1.5 材料的表征 | 第112页 |
| 4.4.2 结果与讨论 | 第112-120页 |
| 4.4.2.1 CdSe纳米球/氧化石墨烯复合材料的晶体结构 | 第112-113页 |
| 4.4.2.2 CdSe纳米球/氧化石墨烯复合材料的元素形态 | 第113-115页 |
| 4.4.2.3 CdSe纳米球/氧化石墨烯复合材料的微观形貌 | 第115-116页 |
| 4.4.2.4 CdSe纳米球/氧化石墨烯复合材料的拉曼光谱 | 第116-117页 |
| 4.4.2.5 CdSe纳米球/氧化石墨烯复合材料的光催化机制 | 第117-118页 |
| 4.4.2.6 CdSe纳米球/氧化石墨烯复合材料的光学性能 | 第118-119页 |
| 4.4.2.7 CdSe纳米球/氧化石墨烯复合材料的光催化性能 | 第119-120页 |
| 4.5 本章小结 | 第120-122页 |
| 第五章 总结与展望 | 第122-125页 |
| 5.1 主要结论 | 第122-123页 |
| 5.2 研究展望 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
| 附录A 攻读博士学位期间发表的论文 | 第145-147页 |
| 附录B 攻读博士学位期间承担的项目 | 第147-148页 |
| 附录C 攻读博士学位期间获得的奖励 | 第148页 |
