| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第9页 |
| 1.2 阻变存储器概述 | 第9-22页 |
| 1.2.1 阻变存储器的历史与发展 | 第9-10页 |
| 1.2.2 阻变存储器的阻变机理 | 第10-16页 |
| 1.2.3 阻变层的材料体系 | 第16-20页 |
| 1.2.4 阻变存储器的加工工艺 | 第20-22页 |
| 1.2.5 阻变存储器的基本参数 | 第22页 |
| 1.3 选题意义及研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 阻变存储器的多值存储 | 第24-35页 |
| 2.1 实现多值存储的方法 | 第24-28页 |
| 2.1.1 运用多种阻变机制的耦合实现多值存储 | 第24-25页 |
| 2.1.2 运用不同限制电流实现多值存储 | 第25-26页 |
| 2.1.3 运用不同截止电压实现多值存储 | 第26页 |
| 2.1.4 运用量子电导实现多值存储 | 第26-28页 |
| 2.2 基于负微分电阻效应实现多值存储 | 第28-34页 |
| 2.2.1 Pt/SiO_2:纳米晶颗粒/Pt器件的制备工艺 | 第28-29页 |
| 2.2.2 Pt/SiO_2:纳米晶颗粒/Pt器件的电学性能 | 第29-32页 |
| 2.2.3 Pt/SiO_2:纳米晶颗粒/Pt器件负微分电阻效应的机理解释 | 第32-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 基于二维MoS_2插层的阻变存储器 | 第35-54页 |
| 3.1 二维材料在阻变存储器中的应用 | 第35-40页 |
| 3.1.1 二维材料在阻变存储器中作为电极 | 第35-37页 |
| 3.1.2 二维材料在阻变存储器中作为阻变层 | 第37-38页 |
| 3.1.3 二维材料在阻变存储器中作为插层 | 第38-40页 |
| 3.2 基于MoS_2作为插层的Ag/ZrO_2/MoS_2/Pt器件 | 第40-53页 |
| 3.2.1 器件的制备工艺 | 第40-42页 |
| 3.2.2 材料表征 | 第42-44页 |
| 3.2.3 器件的电学性能 | 第44-47页 |
| 3.2.4 MoS_2作为插层的工作机理解释 | 第47-53页 |
| 3.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 4.1 论文工作总结 | 第54页 |
| 4.2 未来工作展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-63页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
