掺杂对二硫化钨电子及光学性能影响的第一性原理研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 过渡金属硫属化合物概述 | 第10-11页 |
| 1.2 二硫化钨性质及应用 | 第11页 |
| 1.3 二硫化钨研究现状 | 第11-13页 |
| 1.4 计算软件介绍 | 第13-14页 |
| 1.5 本文的研究目的及意义 | 第14页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 第一性原理计算基本理论和方法 | 第16-24页 |
| 2.1 引言 | 第16-17页 |
| 2.2 第一性原理简介 | 第17-18页 |
| 2.2.1 第一性原理 | 第17-18页 |
| 2.2.2 第一性原理的计算流程 | 第18页 |
| 2.3 基于量子力学的理论计算方法 | 第18-21页 |
| 2.3.1 非相对论近似 | 第18-19页 |
| 2.3.2 绝热近似 | 第19-20页 |
| 2.3.3 Hartree-Fock近似 | 第20-21页 |
| 2.4 密度泛函理论 | 第21-23页 |
| 2.4.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第21-22页 |
| 2.4.2 Kohn-Sham方程 | 第22-23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章O、Se、Te单掺杂对WS_2性能的影响 | 第24-34页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 理论模型与计算方法 | 第24-25页 |
| 3.3 结构优化和稳定性分析 | 第25-26页 |
| 3.4 电子结构分析 | 第26-31页 |
| 3.4.1 能带结构分析 | 第26-28页 |
| 3.4.2 态密度分析 | 第28-31页 |
| 3.5 光学性质分析 | 第31-33页 |
| 3.5.1 吸收光谱分析 | 第31-32页 |
| 3.5.2 复折射光谱分析 | 第32-33页 |
| 3.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 Si、P、Cl单掺杂对WS_2性能的影响 | 第34-44页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 理论模型和计算方法 | 第34-35页 |
| 4.3 结构优化和稳定性分析 | 第35页 |
| 4.4 电子结构分析 | 第35-39页 |
| 4.4.1 能带结构分析 | 第35-37页 |
| 4.4.2 态密度分析 | 第37-39页 |
| 4.5 光学性质分析 | 第39-42页 |
| 4.5.1 吸收光谱分析 | 第39页 |
| 4.5.2 反射光谱分析 | 第39-40页 |
| 4.5.3 复折射光谱分析 | 第40-42页 |
| 4.5.4 损失谱分析 | 第42页 |
| 4.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 第5章 Mo-Te共掺杂对WS_2性能的影响 | 第44-53页 |
| 5.1 引言 | 第44页 |
| 5.2 理论模型与计算方法 | 第44-45页 |
| 5.3 结构优化和稳定性分析 | 第45页 |
| 5.4 电子结构分析 | 第45-50页 |
| 5.4.1 能带结构分析 | 第45-47页 |
| 5.4.2 态密度分析 | 第47-50页 |
| 5.5 光学性质分析 | 第50-52页 |
| 5.5.1 吸收光谱分析 | 第50-51页 |
| 5.5.2 反射光谱分析 | 第51-52页 |
| 5.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
