基于光学Tamm态的多频吸收器研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 光吸收器的研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 光吸收器的研究概况 | 第10-16页 |
| 1.2.1 微波吸收器 | 第10-11页 |
| 1.2.2 太赫兹吸收器 | 第11-12页 |
| 1.2.3 红外吸收器 | 第12-13页 |
| 1.2.4 可见光吸收器 | 第13-16页 |
| 1.3 光学Tamm态 | 第16-20页 |
| 1.3.1 光学Tamm态的概念 | 第16-17页 |
| 1.3.2 光学Tamm态的研究现状 | 第17-20页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第20-21页 |
| 第二章 金属-DBR结构中的光学Tamm态 | 第21-31页 |
| 2.1 理论模型 | 第21-25页 |
| 2.1.1 金属-DBR结构 | 第21-22页 |
| 2.1.2 光学Tamm态的产生机理 | 第22页 |
| 2.1.3 金属Ag介电常数的色散模型 | 第22-24页 |
| 2.1.4 特征矩阵法 | 第24-25页 |
| 2.2 特性分析 | 第25-30页 |
| 2.2.1 DBR周期数的影响 | 第25-27页 |
| 2.2.2 金属薄膜厚度的影响 | 第27-28页 |
| 2.2.3 缺陷层厚度的影响 | 第28-29页 |
| 2.2.4 入射光角度的影响 | 第29-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 基于M-DBR-M中OTS的耦合特性分析 | 第31-55页 |
| 3.1 理论模型 | 第31-33页 |
| 3.1.1 M-DBR-M结构 | 第31页 |
| 3.1.2 特征矩阵法 | 第31-32页 |
| 3.1.3 双OTS耦合模型 | 第32-33页 |
| 3.2 DBR周期数的影响 | 第33-35页 |
| 3.3 弱耦合特性分析 | 第35-43页 |
| 3.3.1 金属薄膜厚度的影响 | 第35-39页 |
| 3.3.2 缺陷层厚度的影响 | 第39-42页 |
| 3.3.3 入射角度的影响 | 第42-43页 |
| 3.4 强耦合特性分析 | 第43-54页 |
| 3.4.1 金属薄膜厚度的影响 | 第43-48页 |
| 3.4.2 缺陷层厚度的影响 | 第48-53页 |
| 3.4.3 入射光角度的影响 | 第53-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 基于光学Tamm态的多频吸收器 | 第55-66页 |
| 4.1 结构模型 | 第55-56页 |
| 4.2 理论分析 | 第56-57页 |
| 4.3 特性分析 | 第57-65页 |
| 4.3.1 DBR的周期数的影响 | 第57-62页 |
| 4.3.2 金属层厚度的影响 | 第62-63页 |
| 4.3.3 缺陷层厚度的影响 | 第63-64页 |
| 4.3.4 入射光角度的影响 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第72-73页 |
| 附录 2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
