| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| ·半导体纳米材料概述 | 第10-12页 |
| ·半导体纳米材料的光学性质及和纳米光子学 | 第12-15页 |
| ·半导体纳米材料的光学性质 | 第12-13页 |
| ·纳米光子学 | 第13-15页 |
| ·一维半导体纳米材料的合成方法 | 第15-17页 |
| ·化学气相生长法 | 第15页 |
| ·水热溶剂热液相合成法 | 第15-16页 |
| ·电化学沉积法 | 第16页 |
| ·模板辅助合成法 | 第16-17页 |
| ·一维半导体纳米材料的表征手段 | 第17-21页 |
| ·X射线衍射(XRD)仪 | 第17-18页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第18页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第18-19页 |
| ·紫外-可见吸收光谱仪(Uv-Vis) | 第19-20页 |
| ·近场扫描光学显微镜(NSOM) | 第20-21页 |
| ·本课题的研究背景、意义和内容 | 第21-23页 |
| ·研究背景及意义 | 第21-22页 |
| ·研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 CdS纳米线的合成及光学性质研究 | 第23-31页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·CdS纳米线的合成及其表征 | 第24-28页 |
| ·CdS纳米线的紫外-吸收光谱和PL发光谱 | 第28-29页 |
| ·CdS的生长机理分析 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 CdS-SiO_2核壳结构的制备和光学性质研究 | 第31-38页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·CdS-SiO_2核壳结构的制备及其表征 | 第32-36页 |
| ·CdS-SiO_2核壳结构的吸收和发光性质 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 CdS-SiO_2-Au复合结构的制备和光学性质研究 | 第38-47页 |
| ·引言 | 第38-40页 |
| ·CdS-SiO_2-Au复合结构的实验制备 | 第40-42页 |
| ·CdS-SiO_2-Au复合结构的SEM表征 | 第42-44页 |
| ·CdS-SiO_2-Au复合结构的发光性质 | 第44-45页 |
| ·SiO_2介电层厚度对复合结构发光强度的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 结论与展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 附录A (攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |