摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
第1章 绪论 | 第15-33页 |
1.1 课题背景 | 第15-16页 |
1.2 宽禁带半导体的生长技术和应用 | 第16-18页 |
1.2.1 氮化镓器件的发展和性能指标 | 第16-17页 |
1.2.2 氮化铝器件的发展和性能指标 | 第17-18页 |
1.3 氮化镓与氮化铝的晶体结构与性质 | 第18-22页 |
1.4 晶体生长理论 | 第22-25页 |
1.4.1 晶体生长动力学 | 第22-23页 |
1.4.2 晶体生长热力学 | 第23-24页 |
1.4.3 晶体生长过程的形核原理 | 第24-25页 |
1.5 氮化镓晶体与氮化铝晶体的研究现状 | 第25-29页 |
1.5.1 氮化镓晶体的研究现状 | 第25-26页 |
1.5.2 氮化铝晶体的研究现状 | 第26-29页 |
1.6 氮化镓与氮化铝纳米结构研究现状 | 第29-31页 |
1.7 主要研究内容 | 第31-33页 |
第2章 材料制备和表征方法 | 第33-40页 |
2.1 材料制备 | 第33-35页 |
2.1.1 助溶剂法生长GaN晶体 | 第33页 |
2.1.2 PVT法制备AlN晶体和纳米结构 | 第33-35页 |
2.1.3 CVD法生长GaN纳米线 | 第35页 |
2.2 表征方法 | 第35-40页 |
2.2.1 成分、物相表征 | 第35-36页 |
2.2.2 微观形貌表征 | 第36-37页 |
2.2.3 物理性能表征 | 第37页 |
2.2.4 力学性能表征 | 第37-40页 |
第3章 氮化镓晶体和氮化铝晶体的生长和物性表征 | 第40-60页 |
3.1 引言 | 第40页 |
3.2 氮化镓晶体的生长和表征 | 第40-46页 |
3.2.1 氮化镓晶体的生长 | 第40-42页 |
3.2.2 氮化镓晶体的表征 | 第42-46页 |
3.3 氮化铝晶体单次生长的工艺研究 | 第46-53页 |
3.3.1 加热体与线圈中心线的相对位移对晶体重量的影响 | 第47-48页 |
3.3.2 坩埚与加热体的相对位移对晶体重量的影响 | 第48-50页 |
3.3.3 生长温度的优化 | 第50-51页 |
3.3.4 生长气压的优化 | 第51-53页 |
3.4 氮化铝晶锭的生长和表征 | 第53-57页 |
3.4.1 多晶锭的生长和多晶片切割 | 第53-54页 |
3.4.2 多晶片的结晶质量表征 | 第54-57页 |
3.5 氮化铝多晶片纳米压痕测试 | 第57-59页 |
3.6 本章小结 | 第59-60页 |
第4章 氮化镓与氮化铝纳米结构的合成与表征 | 第60-94页 |
4.1 引言 | 第60页 |
4.2 氮化镓纳米线合成与微观形貌 | 第60-62页 |
4.3 氮化铝纳米螺旋结构的生长机制与物相表征 | 第62-67页 |
4.4 氮化铝纳米螺旋的力学性质 | 第67-87页 |
4.4.1 单根氮化铝纳米螺旋拉伸性能 | 第67-78页 |
4.4.2 单根氮化铝纳米螺旋压弯性能 | 第78-82页 |
4.4.3 单根氮化铝纳米螺旋的纳米压痕变形行为 | 第82-87页 |
4.5 氮化铝纳米线的力学性质 | 第87-92页 |
4.5.1 单根氮化铝纳米线拉伸性能 | 第87-89页 |
4.5.2 单根氮化铝纳米线的纳米压痕变形行为 | 第89-90页 |
4.5.3 单根氮化铝纳米线三点弯曲性能 | 第90-92页 |
4.6 本章小结 | 第92-94页 |
第5章 氮化铝六边形环结构的生长机制及其物性表征 | 第94-116页 |
5.1 引言 | 第94页 |
5.2 氮化铝六边形环的生长工艺研究 | 第94-97页 |
5.3 氮化铝六边形环的形貌和物相表征 | 第97-102页 |
5.3.1 形貌表征 | 第97-99页 |
5.3.2 物相表征 | 第99-102页 |
5.4 氮化铝六边形环的生长机制研究 | 第102-110页 |
5.4.1 不同生长阶段的氮化铝六边形环 | 第102-104页 |
5.4.2 HRTEM分析 | 第104-110页 |
5.5 氮化铝六边形环的拉曼光谱研究 | 第110-114页 |
5.6 本章小结 | 第114-116页 |
结论 | 第116-118页 |
参考文献 | 第118-133页 |
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第133-135页 |
致谢 | 第135-136页 |
个人简历 | 第136页 |