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新型4H-SiC紫外雪崩光电探测器的制备与表征研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第11-43页
    1.1 引言第11-13页
    1.2 SiC材料的介绍第13-20页
        1.2.1 SiC的发展历史第13-14页
        1.2.2 SiC的材料特性第14-20页
    1.3 SiC材料的主要应用领域第20-25页
    1.4 SiC基紫外APD第25-31页
        1.4.1 主要性能参数第26-28页
        1.4.2 发展现状第28-29页
        1.4.3 测试系统第29-31页
    1.5 本论文的主要研究工作第31-33页
    参考文献第33-43页
第二章 n-i-p-n半台面垂直结构4H-SiC APD的制备与表征第43-59页
    2.1 研究背景及意义第43-45页
    2.2 全台面平面电极结构4H-SiCAPD的制备与理论验证第45-53页
    2.3 半台面垂直电极结构4H-SiC APD制备与性能表征第53-56页
    2.4 本章小结第56-57页
    参考文献第57-59页
第三章 低雪崩电压及高量子效率的4H-SiC SACM APD的制备与表征第59-73页
    3.1 研究背景及意义第59-60页
    3.2 4H-SiC p-i-n APD击穿电压均匀性与本征层厚度间关系的研究第60-63页
    3.3 4H-SiC SACM APD的制备及性能表征第63-68页
    3.4 本章小结第68-70页
    参考文献第70-73页
第四章 4H-SiC p-i-n APD本征层厚度对器件性能影响的研究第73-83页
    4.1 研究背景及意义第73页
    4.2 4H-SiC p-i-n APD的制备第73-75页
    4.3 4H-SiC p-i-n APD的性能表征与分析第75-77页
    4.4 4H-SiC APD的暗计数来源分析第77-80页
    4.5 本章小结第80-81页
    参考文献第81-83页
第五章 4H-SiC SPAD的雪崩区域均匀性分析第83-100页
    5.1 研究背景及意义第83-84页
    5.2 SNOM基SPC分布测试系统的搭建第84-85页
    5.3 待测4H-SiC SPAD的制备第85页
    5.4 4H-SiC SPAD的SPC分布均匀性研究第85-89页
    5.5 4H-SiC SPAD的雪崩发光特性研究第89-95页
    5.6 本章小结第95-97页
    参考文献第97-100页
第六章 总结与展望第100-103页
    6.1 本论文的工作总结第100-101页
    6.2 未来的研究展望第101-103页
发表论文、申请专利目录第103-105页
致谢第105-107页

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