| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-43页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 SiC材料的介绍 | 第13-20页 |
| 1.2.1 SiC的发展历史 | 第13-14页 |
| 1.2.2 SiC的材料特性 | 第14-20页 |
| 1.3 SiC材料的主要应用领域 | 第20-25页 |
| 1.4 SiC基紫外APD | 第25-31页 |
| 1.4.1 主要性能参数 | 第26-28页 |
| 1.4.2 发展现状 | 第28-29页 |
| 1.4.3 测试系统 | 第29-31页 |
| 1.5 本论文的主要研究工作 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-43页 |
| 第二章 n-i-p-n半台面垂直结构4H-SiC APD的制备与表征 | 第43-59页 |
| 2.1 研究背景及意义 | 第43-45页 |
| 2.2 全台面平面电极结构4H-SiCAPD的制备与理论验证 | 第45-53页 |
| 2.3 半台面垂直电极结构4H-SiC APD制备与性能表征 | 第53-56页 |
| 2.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第三章 低雪崩电压及高量子效率的4H-SiC SACM APD的制备与表征 | 第59-73页 |
| 3.1 研究背景及意义 | 第59-60页 |
| 3.2 4H-SiC p-i-n APD击穿电压均匀性与本征层厚度间关系的研究 | 第60-63页 |
| 3.3 4H-SiC SACM APD的制备及性能表征 | 第63-68页 |
| 3.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 第四章 4H-SiC p-i-n APD本征层厚度对器件性能影响的研究 | 第73-83页 |
| 4.1 研究背景及意义 | 第73页 |
| 4.2 4H-SiC p-i-n APD的制备 | 第73-75页 |
| 4.3 4H-SiC p-i-n APD的性能表征与分析 | 第75-77页 |
| 4.4 4H-SiC APD的暗计数来源分析 | 第77-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第五章 4H-SiC SPAD的雪崩区域均匀性分析 | 第83-100页 |
| 5.1 研究背景及意义 | 第83-84页 |
| 5.2 SNOM基SPC分布测试系统的搭建 | 第84-85页 |
| 5.3 待测4H-SiC SPAD的制备 | 第85页 |
| 5.4 4H-SiC SPAD的SPC分布均匀性研究 | 第85-89页 |
| 5.5 4H-SiC SPAD的雪崩发光特性研究 | 第89-95页 |
| 5.6 本章小结 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-100页 |
| 第六章 总结与展望 | 第100-103页 |
| 6.1 本论文的工作总结 | 第100-101页 |
| 6.2 未来的研究展望 | 第101-103页 |
| 发表论文、申请专利目录 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105-107页 |
