高功率脉冲磁控溅射圆筒内表面制备Cr薄膜的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-20页 |
| 1.2.1 圆筒内表面处理技术的发展 | 第10-14页 |
| 1.2.2 磁控溅射技术 | 第14-19页 |
| 1.2.3 高功率脉冲磁控溅射 | 第19-20页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 试验材料、设备及方法 | 第22-27页 |
| 2.1 实验材料 | 第22页 |
| 2.2 实验设备 | 第22-24页 |
| 2.2.1 多功能离子注入与磁控溅射设备 | 第22-23页 |
| 2.2.2 磁控溅射电源 | 第23-24页 |
| 2.3 实验方法 | 第24-25页 |
| 2.4 分析测试方法 | 第25-27页 |
| 2.4.1 发射光谱诊断 | 第25页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第25页 |
| 2.4.3 划痕仪膜基结合力测试 | 第25-26页 |
| 2.4.4 显微硬度分析仪 | 第26-27页 |
| 第3章Cr靶磁控溅射发射光谱分析及其放电特性研究 | 第27-39页 |
| 3.1 Cr靶磁控溅射发射光谱分析 | 第27-32页 |
| 3.1.1 发射光谱法 | 第27页 |
| 3.1.2 直流溅射过程光谱分析 | 第27-29页 |
| 3.1.3 高功率脉冲溅射过程光谱分析 | 第29-30页 |
| 3.1.4 直流与高功率溅射发射光谱对比 | 第30-32页 |
| 3.2 Cr靶HPPMS放电特性的研究 | 第32-37页 |
| 3.2.1 工作气压对靶电流的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.2 工作电压对靶电流的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.3 脉冲频率对靶电流的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.4 脉冲宽度对靶电流的影响 | 第36-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章Cr靶圆筒内表面HPPMS工艺的研究 | 第39-50页 |
| 4.1 靶电压对薄膜微观形貌的影响 | 第39-41页 |
| 4.2 工作气压对薄膜微观形貌的影响 | 第41-44页 |
| 4.3 基体偏压对薄膜微观形貌的影响 | 第44-46页 |
| 4.4 圆筒内径对薄膜微观形貌的影响 | 第46-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第5章 薄膜力学性能的研究 | 第50-61页 |
| 5.1 薄膜膜基结合力的测试分析 | 第50-57页 |
| 5.2 薄膜显微硬度的测试分析 | 第57-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
