| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-23页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 新型非挥发性存储器简介 | 第7-10页 |
| 1.2.1 磁阻存储器 (MRAM) | 第7-8页 |
| 1.2.2 铁电存储器（FeRAM) | 第8页 |
| 1.2.3 相变存储器 (PRAM) | 第8页 |
| 1.2.4 电阻存储器 (RRAM) | 第8-10页 |
| 1.3 RRAM研究进展 | 第10-13页 |
| 1.3.1 RRAM材料 | 第10-11页 |
| 1.3.2 电阻开关效应分类 | 第11-12页 |
| 1.3.3 RRAM性能参数 | 第12-13页 |
| 1.4 阻变机制 | 第13-16页 |
| 1.4.1 块体主导机制 | 第13-16页 |
| 1.4.2 界面主导机制 | 第16页 |
| 1.5 漏电流机制 | 第16-18页 |
| 1.5.1 普尔-法兰克效应机制 | 第16-17页 |
| 1.5.2 空间电荷限制电流机制 | 第17页 |
| 1.5.3 肖特基发射机制 | 第17-18页 |
| 1.5.4 欧姆传导机制 | 第18页 |
| 1.6 铜氧化物特性 | 第18-19页 |
| 1.6.1 CuO的基本性质 | 第18-19页 |
| 1.6.2 Cu2O的基本性质 | 第19页 |
| 1.7 铜氧化物RRAM器件研究现状 | 第19-21页 |
| 1.7.1 铜氧化物纳米线RRAM器件的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.7.2 铜氧化物薄膜RRAM器件的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.8 选文意义和主要内容 | 第21-23页 |
| 第二章 一维CuO纳米线电阻开关特性 | 第23-36页 |
| 2.1 热氧化法制备CuO纳米线 | 第23-24页 |
| 2.1.1 热氧化制备CuO纳米线原理 | 第23-24页 |
| 2.1.2 CuO纳米线的制备 | 第24页 |
| 2.2 CuO纳米线的表征 | 第24-26页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析（XRD） | 第24-25页 |
| 2.2.2 场发射扫描电镜分析（FE-SEM） | 第25-26页 |
| 2.3 CuO纳米线RRAM器件的组装 | 第26-28页 |
| 2.4 CuO纳米线器件的阻变性能分析 | 第28-31页 |
| 2.4.1 电流-电压回线特征分析 | 第28-31页 |
| 2.4.2 数据保持特性分析 | 第31页 |
| 2.5 Cu/CuO NW/Cu器件阻变机制分析 | 第31-35页 |
| 2.6 小结 | 第35-36页 |
| 第三章 二维Cu氧化物薄膜电阻开关特性 | 第36-51页 |
| 3.1 Cu氧化物薄膜的制备 | 第36-37页 |
| 3.1.1 薄膜制备准备工作 | 第36页 |
| 3.1.2 直流磁控溅射 | 第36-37页 |
| 3.2 Cu氧化物薄膜RRAM器件制备 | 第37-39页 |
| 3.2.1 Cu氧化物薄膜立体结构RRAM器件制备 | 第37-38页 |
| 3.2.2 Cu氧化物薄膜平面结构RRAM器件制备 | 第38-39页 |
| 3.3 Cu氧化物薄膜表征 | 第39-41页 |
| 3.3.1 不同氧气流量对Cu氧化物薄膜的结构影响 | 第39-40页 |
| 3.3.2 不同氧气流量对Cu氧化物薄膜的光学性能影响 | 第40-41页 |
| 3.4 CuO薄膜电阻开关特性 | 第41-44页 |
| 3.4.1 不同电极材料的CuO薄膜平面结构电阻开关特性 | 第41-42页 |
| 3.4.2 不同电极材料的CuO薄膜立体结构电阻开关特性 | 第42-44页 |
| 3.5 Cu2O薄膜电阻开关特性 | 第44-46页 |
| 3.5.1 FTO/Cu2O/Ag立体结构RRAM器件电阻开关特性 | 第44-45页 |
| 3.5.2 FTO/Cu2O/Cu立体结构RRAM器件电阻开关特性 | 第45-46页 |
| 3.6 Cu氧化物薄膜电阻开关机制分析 | 第46-50页 |
| 3.6.1 FTO/CuO/Ag拟合分析 | 第46-47页 |
| 3.6.2 FTO/CuO/Cu拟合分析 | 第47-48页 |
| 3.6.3 FTO/Cu2O/Cu拟合分析 | 第48-50页 |
| 3.7 小结 | 第50-51页 |
| 第四章 结论与展望 | 第51-53页 |
| 4.1 结论 | 第51页 |
| 4.2 展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第60页 |
