摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-24页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 ZnO的基本性质 | 第9-16页 |
1.2.1 ZnO的电学性质 | 第11-13页 |
1.2.2 ZnO二维电子气 | 第13-15页 |
1.2.3 ZnO异质外延 | 第15-16页 |
1.3 ZnMgO结构与性质 | 第16-18页 |
1.3.1 氧化镁的基本性质 | 第16-17页 |
1.3.2 ZnMgO结构与带隙 | 第17-18页 |
1.4 HEMT发展与现状简介 | 第18-22页 |
1.4.1 HEMT结构和性质 | 第18-20页 |
1.4.2 HEMT的发展现状 | 第20-22页 |
1.5 本论文的选题依据、研究内容 | 第22-23页 |
1.5.1 选题依据 | 第22页 |
1.5.2 研究内容 | 第22-23页 |
1.6 本章小结 | 第23-24页 |
2 ZnO样品的制备和性能表征方法 | 第24-33页 |
2.1 靶材的制备 | 第24-25页 |
2.1.1 固相反应法 | 第24页 |
2.1.2 溶胶-凝胶法 | 第24-25页 |
2.2 薄膜的制备工艺和基本原理 | 第25-27页 |
2.2.1 脉冲激光溅射 | 第25-26页 |
2.2.2 激光分子束溅射 | 第26-27页 |
2.3 薄膜的表征技术和基本原理 | 第27-31页 |
2.3.1 X射线衍射 | 第27-28页 |
2.3.2 原子力显微镜 | 第28-29页 |
2.3.3 吸收谱和透射谱 | 第29-30页 |
2.3.4 低温测试系统 | 第30页 |
2.3.5 霍尔测试 | 第30-31页 |
2.4 本章小结 | 第31-33页 |
3 ZnO/ZnMgO系列异质结的制备和测试分析 | 第33-44页 |
3.1 ZnO靶材的制备和表征 | 第33-34页 |
3.1.1 ZnO靶材制备 | 第33页 |
3.1.2 ZnO靶材XRD测试 | 第33-34页 |
3.2 Si基ZnO/ZnMgO系列异质结制备和测试分析 | 第34-38页 |
3.2.1 Si基ZnO/ZnMgO系列异质结的制备 | 第34-35页 |
3.2.2 Si基ZnO薄膜层的形貌测试 | 第35-36页 |
3.2.3 Si基ZnMgO系列薄膜的形貌测试 | 第36-37页 |
3.2.4 Si基ZnO/ZnMgO系列异质结界面霍尔测试 | 第37-38页 |
3.3 MgO基ZnO/ZnMgO系列异质结制备和测试分析 | 第38-43页 |
3.3.1 MgO基ZnO/ZnMgO系列异质结的制备 | 第38页 |
3.3.2 MgO基ZnO薄膜层的形貌测试 | 第38-39页 |
3.3.3 MgO基ZnMgO0系列薄膜的形貌测试 | 第39页 |
3.3.4 MgO基ZnO/ZnMgO系列异质结光谱测试 | 第39-43页 |
3.4 本章小结 | 第43-44页 |
4 ZnO/ZnMgO系列异质结界面的电性能研究 | 第44-65页 |
4.1 Si基ZnO/ZnMgO系列异质结界面温度-电阻特性 | 第44-47页 |
4.2 MgO基ZnO/ZnMgO系列异质结界面温度-电阻特性 | 第47-50页 |
4.3 Si基ZnO/Zn_(0.7)Mg_(0.3)O异质结负栅压调制下电压-电流特性 | 第50-57页 |
4.3.1 栅极制备 | 第50页 |
4.3.2 负栅压调制电压-电流曲线测试电路搭建 | 第50-51页 |
4.3.3 Si基ZnO/Zn_(0.7)Mg_(0.3)O异质结负栅压调制电压-电流曲线 | 第51-57页 |
4.4 Si基ZnO/Zn_(0.5)Mg_(0.5)O异质结负栅压调制下电压-电流特性 | 第57-63页 |
4.5 本章小结 | 第63-65页 |
5 总结与展望 | 第65-67页 |
5.1 总结 | 第65页 |
5.2 展望 | 第65-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-72页 |