| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 透明导电薄膜的简介 | 第9-11页 |
| 1.2.1 透明导电薄膜的分类 | 第9-10页 |
| 1.2.2 透明导电薄膜的应用 | 第10-11页 |
| 1.3 ZnO基透明导电薄膜 | 第11-13页 |
| 1.3.1 ZnO的性质 | 第11页 |
| 1.3.2 ZnO的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.3.3 ZnO的掺杂 | 第12-13页 |
| 1.3.4 ZnO基透明薄膜的应用 | 第13页 |
| 1.4 本论文的研究意义和研究内容 | 第13-15页 |
| 1.4.1 课题研究的目的和意义 | 第13-14页 |
| 1.4.2 课题研究的主要内容 | 第14-15页 |
| 2 薄膜的制备方法和表征手段 | 第15-26页 |
| 2.1 薄膜的主要制备方法 | 第15-17页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积法(PLD) | 第15页 |
| 2.1.2 化学气相沉积法(CVD) | 第15-16页 |
| 2.1.3 分子束外延法(MBE) | 第16页 |
| 2.1.4 磁控溅射法 | 第16页 |
| 2.1.5 超声喷雾热解法(USP) | 第16页 |
| 2.1.6 溶胶凝胶法(Sol-Gel) | 第16-17页 |
| 2.1.7 其他工艺 | 第17页 |
| 2.2 溶胶凝胶工艺的简介 | 第17-21页 |
| 2.2.1 溶胶凝胶的原理 | 第17页 |
| 2.2.2 溶胶凝胶法的成膜特点 | 第17-18页 |
| 2.2.3 胶体的制备机理 | 第18-19页 |
| 2.2.4 溶胶凝胶制膜方法 | 第19-21页 |
| 2.3 薄膜的表征手段 | 第21-25页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪 | 第21-22页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第22-23页 |
| 2.3.3 光致发光谱 | 第23-24页 |
| 2.3.4 紫外—可见分光光度计 | 第24-25页 |
| 2.3.5 样品表征使用的仪器 | 第25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 溶胶凝胶旋涂法制备ZnO薄膜及工艺分析 | 第26-34页 |
| 3.1 实验药品和实验器材 | 第26-27页 |
| 3.1.1 实验仪器 | 第26页 |
| 3.1.2 实验药品 | 第26-27页 |
| 3.2 ZnO薄膜的制备过程 | 第27-30页 |
| 3.2.1 制备方案与流程 | 第27-28页 |
| 3.2.2 基片的清洗 | 第28-29页 |
| 3.2.3 薄膜的制备 | 第29页 |
| 3.2.4 薄膜的热处理 | 第29-30页 |
| 3.3 工艺条件的分析 | 第30-33页 |
| 3.3.1 预退火温度对薄膜的影响 | 第30-32页 |
| 3.3.2 不同衬底对薄膜的影响 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 4 不同Al掺杂浓度对ZnO薄膜性能的影响 | 第34-41页 |
| 4.1 薄膜晶格结构的分析 | 第34-35页 |
| 4.2 薄膜表面形貌的分析 | 第35-37页 |
| 4.3 薄膜光致发光性能的分析 | 第37-38页 |
| 4.4 薄膜光透过性能的分析 | 第38-39页 |
| 4.5 薄膜电学性能的分析 | 第39-40页 |
| 4.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 5 不同Sn掺杂浓度对Sn-Al共掺ZnO薄膜性能的影响 | 第41-49页 |
| 5.1 薄膜晶格结构的分析 | 第41-43页 |
| 5.2 薄膜表面形貌的分析 | 第43-45页 |
| 5.3 薄膜光致发光性能的分析 | 第45-46页 |
| 5.4 薄膜光透过性能的分析 | 第46-47页 |
| 5.5 薄膜电学性能的分析 | 第47-48页 |
| 5.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 6 结论和展望 | 第49-50页 |
| 6.1 结论 | 第49页 |
| 6.2 展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |