摘要 | 第1-11页 |
Abstract | 第11-14页 |
第1章 绪论 | 第14-44页 |
·多孔硅的制备及发光性质 | 第15-25页 |
·多孔硅的制备方法 | 第15-17页 |
·多孔硅的形成机理 | 第17-18页 |
·多孔硅的形成的理论模型 | 第18-19页 |
·多孔硅的微观结构及制备条件对其的影响 | 第19-21页 |
·多孔硅的光致发光(PL)和电致发光(EL) | 第21-23页 |
·多孔硅的发光机理 | 第23-25页 |
·多孔硅的稳定化处理及表面修饰现状 | 第25-29页 |
·氧化处理 | 第25-26页 |
·超临界干燥处理 | 第26页 |
·非金属的表面钝化处理 | 第26-28页 |
·金属修饰多孔硅表面 | 第28页 |
·有机高分子修饰多孔硅表面 | 第28-29页 |
·多孔硅表面的生物功能性修饰 | 第29页 |
·多孔硅在器件上的应用 | 第29-33页 |
·发光二极管(LED) | 第29页 |
·光探测器 | 第29-30页 |
·光波导器件 | 第30页 |
·光电集成器件 | 第30-31页 |
·多孔硅传感器 | 第31-33页 |
·太阳能电池 | 第33页 |
·题选题依据 | 第33-34页 |
参考文献 | 第34-44页 |
第2章 多孔硅的制备及荧光增强效应 | 第44-50页 |
·引言 | 第44页 |
·试剂及仪器 | 第44页 |
·实验过程 | 第44-46页 |
·硅片的清洗 | 第44页 |
·硅片的光电化学刻蚀 | 第44-45页 |
·多孔硅的稳定性处理及清洗 | 第45-46页 |
·过氧化氢催化对多孔硅腐蚀的影响 | 第46页 |
·结果与讨论 | 第46-48页 |
·多孔硅样品的金像显微镜照片 | 第46页 |
·多孔硅样品在紫外灯下的照片和荧光强度比较 | 第46-48页 |
·样品的红外光谱分析(FTIR) | 第48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
参考文献 | 第49-50页 |
第3章 多孔硅刻蚀过程中的介质增强荧光效应 | 第50-59页 |
·引言 | 第50页 |
·试剂及仪器 | 第50页 |
·实验过程 | 第50-51页 |
·钛溶胶的制备 | 第50-51页 |
·多孔硅的制备 | 第51页 |
·样品的表征 | 第51页 |
·结果与讨论 | 第51-56页 |
·样品的在紫外灯下的照片分析 | 第51-54页 |
·样品的FT-IR分析 | 第54-55页 |
·样品的X光电子能谱分析 | 第55-56页 |
·样品的光电化学分析 | 第56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-59页 |
第4章 TiO_2/PS复合电极的光电性能研究 | 第59-71页 |
·引言 | 第59页 |
·试剂及仪器 | 第59页 |
·多孔硅的制备 | 第59页 |
·工作电极的制备 | 第59-61页 |
·结果与讨论 | 第61-69页 |
·多孔硅PS电极和TiO_2/PS电极的扫描电镜显微照片 | 第61页 |
·多孔硅PS电极和TiO_2/PS电极的荧光分析 | 第61-62页 |
·多孔硅PS电极和TiO_2/PS电极的红外光谱分析(FTIR) | 第62-63页 |
·样品TiO_2/PS的XPS分析 | 第63-65页 |
·复合电极在光照条件下对应的(Ⅰ)-(Ⅴ)关系 | 第65-67页 |
·不同退火温度的TiO_2/PS复合电极的在黑暗和光照条件下对应的电流(Ⅰ)-电压(Ⅴ)关系 | 第67-68页 |
·同温度不同退火时间的TiO_2/PS电极,在黑暗和光照条件下的Ⅰ~Ⅴ关系 | 第68-69页 |
·本章小结 | 第69页 |
参考文献 | 第69-71页 |
第5章 TiO_2/Ag/PS复合电极的光电性能研究 | 第71-77页 |
·试剂及仪器 | 第71页 |
·多孔硅的制备 | 第71页 |
·工作电极的制备 | 第71-72页 |
·结果与讨论 | 第72-75页 |
·TiO_2/Ag/PS电极的扫描电镜显微照片 | 第72-73页 |
·TiO_2/Ag/PS电极在光照条件下对应的电流(Ⅰ)-电压(Ⅴ)关系 | 第73-74页 |
·在光照条件下复合电极对应的时间-电流密度关系 | 第74-75页 |
·TiO_2/Ag/PS电极B在黑暗和光照条件下,不同温度的Ⅰ~Ⅴ关系 | 第75页 |
·本章小结 | 第75-76页 |
参考文献 | 第76-77页 |
第6章 结论 | 第77-79页 |
硕士期间发表的论文 | 第79-80页 |
致谢 | 第80页 |