基于强流束器件结构的电子碰撞及倍增效应研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 相关理论发展概况 | 第10-14页 |
| 1.2.1 理论研究进展 | 第10-12页 |
| 1.2.2 实验研究进展 | 第12-14页 |
| 1.3 本课题的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 二次电子倍增理论分析 | 第16-27页 |
| 2.1 介质表面击穿物理过程 | 第16-17页 |
| 2.1.1 种子电子发射 | 第16页 |
| 2.1.2 二次电子发射 | 第16页 |
| 2.1.3 释气现象与气体电离 | 第16-17页 |
| 2.2 二次电子发射机制 | 第17-21页 |
| 2.2.1 金属的二次电子发射 | 第17-18页 |
| 2.2.2 半导体和绝缘体的二次电子发射 | 第18-19页 |
| 2.2.3 二次电子发射物理过程 | 第19-21页 |
| 2.3 二次电子激发模型 | 第21-24页 |
| 2.3.1 二次电子激发率 | 第21-22页 |
| 2.3.2 二次电子激发率曲线 | 第22-23页 |
| 2.3.3 二次电子数目统计 | 第23-24页 |
| 2.4 二次电子发射初始能量和角度的确定 | 第24-26页 |
| 2.4.1 二次电子能量分布 | 第24-25页 |
| 2.4.2 二次电子发射初始能量 | 第25页 |
| 2.4.3 二次电子发射初始角度 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 电子倍增效应模型及运动状态分析 | 第27-33页 |
| 3.1 介质单边二次电子倍增效应建模 | 第27-28页 |
| 3.2 介质表面电子运动轨迹 | 第28-32页 |
| 3.2.1 电子运动轨迹分析 | 第28-29页 |
| 3.2.2 初始发射角对电子运动状态的影响 | 第29页 |
| 3.2.3 直流静电场对电子运动状态的影响 | 第29-30页 |
| 3.2.4 初始相位对电子运动状态的影响 | 第30页 |
| 3.2.5 外加横向射频场对电子运动状态的影响 | 第30-31页 |
| 3.2.6 外加纵向射频场对电子运动状态的影响 | 第31-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 二次电子倍增效应敏感特性分析 | 第33-37页 |
| 4.1 敏感特性统计 | 第33页 |
| 4.2 横向微波射频场对敏感特性的影响 | 第33-34页 |
| 4.3 纵向微波射频场对敏感特性的影响 | 第34-35页 |
| 4.4 射频场频率对敏感特性的影响 | 第35-36页 |
| 4.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第5章 电子倍增效应的粒子模拟 | 第37-41页 |
| 5.1 粒子模拟法 | 第37页 |
| 5.2 PIC统计 | 第37-39页 |
| 5.3 数值模拟 | 第39-40页 |
| 5.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第6章 总结与展望 | 第41-45页 |
| 6.1 抑制击穿方法 | 第41-43页 |
| 6.2 结论 | 第43页 |
| 6.3 展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
