Cu2O纳米线阵列及双向纳米器件制备
中文摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-20页 |
1.1 前言 | 第9-11页 |
1.1.1 纳米材料的基本特性 | 第10-11页 |
1.1.2 纳米材料的应用 | 第11页 |
1.2 一维纳米材料 | 第11-15页 |
1.2.1 模板合成法 | 第12-13页 |
1.2.2 非模板方法 | 第13-15页 |
1.3 金属氧化物半导体材料 | 第15-18页 |
1.4 本文选题背景和研究内容 | 第18-20页 |
第二章 双向器件结构设计 | 第20-28页 |
2.1 器件功能层材料选择 | 第20-23页 |
2.1.1 Cu_2O的基本性质 | 第20-23页 |
2.1.2 Cu_2O结构的选择 | 第23页 |
2.2 金半接触 | 第23-25页 |
2.2.1 功函数 | 第23-24页 |
2.2.2 接触电势差 | 第24页 |
2.2.3 表面态与接触势垒的关系 | 第24-25页 |
2.3 金属电极材料选择 | 第25-27页 |
2.3.1 Cu_2O与金属接触特性 | 第25-26页 |
2.3.2 Cu、Al与Cu_2O接触器件结构 | 第26-27页 |
2.4 本章小结 | 第27-28页 |
第三章 链珠状Cu_2O纳米线阵列的制备 | 第28-45页 |
3.1 实验过程 | 第28-30页 |
3.1.1 实验试剂 | 第28页 |
3.1.2 两步加热制备法 | 第28-29页 |
3.1.3 表征手段 | 第29-30页 |
3.2 实验结果及讨论 | 第30-43页 |
3.2.1 Cu_2O链珠状样品特性 | 第30-35页 |
3.2.2 与传统加热分解样品对比 | 第35-37页 |
3.2.3 两步法制备CuO链珠状结构 | 第37-38页 |
3.2.4 Cu膜厚度对合成的影响 | 第38-43页 |
3.3 本章小结 | 第43-45页 |
第四章 基于Cu_2O双向肖特基限压管制备 | 第45-54页 |
4.1 双向二极管 | 第45-47页 |
4.2 实验过程 | 第47-48页 |
4.3 实验结果及讨论 | 第48-52页 |
4.3.1 器件正向触发特性 | 第49-50页 |
4.3.2 稳压特性改善 | 第50-51页 |
4.3.3 器件面积对性能的影响 | 第51-52页 |
4.4 本章小结 | 第52-54页 |
第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
参考文献 | 第56-61页 |
在学期间的研究成果 | 第61-62页 |
致谢 | 第62页 |